[发明专利]一种多电源系、多封装形式的芯片静电放电保护方法

权利要求书

1.一种芯片多电源系、多封装形式的芯片静电放电保护方法，其特征在于，该方法利用sealring中第一层金属至顶层金属的多层宽金属线，作为多电源系芯片的ESD地线通路，增强芯片的ESD放电能力，具体如下：芯片地IO从压焊点bonding PAD处引出金属线，或芯片电源IO和输入输出从bonding PAD两侧将IO单元中的地线引出，并跳层至第一层金属至顶层金属，与sealring的第一层金属至顶层金属相连；保证sealring由第一层金属至顶层金属、P型空穴注入组成，并闭合成环，围绕芯片一周，Sealring中第一层金属至顶层金属通过各层的通孔相连，sealring中的金属线下方通过接触孔，与P型衬底连通，保证金属线的地电位与芯片地电位相同；在芯片内部，各个电源系的地电位仍通过金属连通，与sealring中的宽金属线一起作为ESD地线通路。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于该方法利用sealring中第一层金属至顶层金属多层宽金属线，作为多电源系芯片的ESD地线通路，增强芯片的ESD放电能力，将各个电源系的IO单元中的地线，通过第一层金属至顶层金属连接到sealring的多层宽金属线上，sealring中的多层宽金属线之间通过各层的通孔进行连通，以保证各层之间具有放电通路。