[发明专利]串行热转印电致发光显示器在审
申请号: | 201410427428.4 | 申请日: | 2014-08-28 |
公开(公告)号: | CN105655369A | 公开(公告)日: | 2016-06-08 |
发明(设计)人: | 汤宝林 | 申请(专利权)人: | 汤宝林 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/00 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 215001 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 串行 热转印 电致发光 显示器 | ||
技术领域
一种显示器(屏)、数字印刷型电致发光显示器,本申请是串行热转印 电致发光显示器。
串行热转印电致发光显示器[STP-LED:SerialThermalPrintingLight EmittingDisplay],有面板、电极及电致发光层[EML]及其辅助功能层不同组 合的叠层结构。其发光层或其它辅助功能层的转印点阵是由含最少一个这些层 材料的LED串行热转印色带[LEDSP-TTR:LEDSerialPrintingTTR]直接或间 接、一次或多次、并置[Collocation]或叠加[MultilayerOverlay]、串行热 转印生成,并有转印后可交联[Cross-linkingafterTransfer]性选择。
上述[0002]中串行热转印电致发光显示器,涉有:液晶显示器 [LCD][AMOLED];柔性显示器[FLED];无机电致发光显示器[ILED];有机电致 发光显示器[OLED];聚合物电致发光显示器[PLED],及有机和无机复合体系电 致发光显示器、或它们间某一技术组合的电致发光显示器。它们单色或全彩, 或是被动矩阵[PM:PassiveMatrix]、主动矩阵[AM:ActiveMatrix]阳极,或 是其它透明、顶部、白光发光显视器构造型式。
上述[0002]LED串行热转印色带,其转印层电致发光材料或其辅助功能 材料,最少含一类:
1,主发光[HostEmission]、客发光[GuestEmission]材料(掺杂配 合物)。包括无机电致发光材料[InorganicEL]、有机小分子电致发光材料 [OLED]、聚合物大分子电致发光材料[PLED]。
2,电子传输层[ETL]、空穴传输层[HIL]、电子传输层[HTL]、粘合层 [StickLayer]、绝缘填补层[IFL:InsulatingFillLayer]等LED辅助功能材 料。
3,滤色层[ColourFilter]热升华染料、或其它显色体。
上述[0002]的“LED串行热转印色带”的“转印层”,转印前后常温下 是热敏性的“干式”固体,固化交联的方法是UV固化、电子射线固化、热固化 中的一种,特征是该转印层含有丙烯酸酯类寡聚物[Oligomer]、低聚倍半硅氧 烷[POSS]寡聚物和它们的活性配合物。
上述[0006]所述转印层的绝缘填补层,是其它点阵黑白稿合成图像的“负 版”[ReversePlate],兼有对叠层结构“填平补缺”[FillingVacancy]、绝 缘、隔绝水氧腐蚀作用;也可以是LED串行热转印色带的“满版”、“无加网” 热转印绝缘复合层[MultiLayer]、保护层[ProtectiveLayer]。
上述[0002]LED串行热转印色带的承印面可以是基板或盖板、或它们的 预涂层,并以热棍加(R2R)方式将它们复合为一体。串行热转印全彩显示器显 示面积、显示清晰度仅仅受限于ITO能力。参见附图1,附图2及其说明 [0011-0017]。
附图说明
表一,附图1说明:LED串行热转印成像原理示意
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于汤宝林,未经汤宝林许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201410427428.4/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:有机发光显示装置及其制造方法
- 下一篇:改进的高性能磁通门装置
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的