[发明专利]排气设备和具有排气设备的衬底处理设备有效
申请号: | 201410427830.2 | 申请日: | 2014-08-27 |
公开(公告)号: | CN104425317B | 公开(公告)日: | 2017-12-05 |
发明(设计)人: | 沈亨基;金锺明;白种化;金炳秀 | 申请(专利权)人: | AP系统股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 北京同立钧成知识产权代理有限公司11205 | 代理人: | 臧建明 |
地址: | 韩国京畿道华城市*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 排气 设备 具有 衬底 处理 | ||
1.一种衬底处理设备,其特征在于包括:
腔室,形成处理衬底的内部空间;
排气装置,将在所述衬底的处理过程中产生的副产物排出到所述腔室的外部,
其中排气装置侧壁包含排气端口,所述排气端口形成于除了所述腔室的上部和下部之外的侧壁处,且以单个或多个设置到所述侧壁;
衬底支撑件,在所述腔室的所述内部空间中支撑所述衬底;
激光产生单元,将激光束辐射到设置在所述衬底支撑件上的所述衬底上;
注射器,所述注射器具有设置在所述排气端口的上侧处且朝向所述腔室的侧壁方向注射气体的注射喷嘴;以及
吸入器,设置到所述衬底支撑件的两侧的下部以用于吸入保持在所述腔室的底部的副产物。
2.根据权利要求1所述的衬底处理设备,其中所述排气端口形成于所述腔室的除了所述腔室的所述上部和所述下部之外的整个侧壁处,或形成于所述腔室的除了所述腔室的所述上部和所述下部以及形成进入口的侧壁之外的所述整个侧壁处。
3.根据权利要求1所述的衬底处理设备,其中多个注射孔形成于所述注射喷嘴处。
4.根据权利要求3所述的衬底处理设备,其中从所述激光产生单元产生的激光束所通过的传输窗口形成于所述腔室的上侧上,且所述注射喷嘴环绕所述传输窗口而设置。
5.根据权利要求1所述的衬底处理设备,其中所述腔室包括:
下部块,所述衬底支撑件设置在其上部上;以及
盖,覆盖所述下部块的上部以密封所述下部块,
其中装载或卸载所述衬底所通过的衬底进入口形成于所述侧壁中的除了所述盖的上部侧壁之外的至少一个侧壁中。
6.根据权利要求1所述的衬底处理设备,
其中所述吸入器包括:
压力调整单元,调整用于吸入所述副产物的压力;以及
吸入喷嘴,具有吸入所述副产物所通过的吸入孔。
7.根据权利要求6所述的衬底处理设备,其中所述衬底支撑件是能够在所述腔室内传递所述衬底的衬底传递单元。
8.根据权利要求7所述的衬底处理设备,其中所述衬底传递单元包括:
一对导轨,在与所述吸入喷嘴的两端交叉的方向上彼此平行地设置,且在第一轴方向上彼此间隔开;
第一轴滑块,具有在所述导轨之间连接的第二轴方向的长度,且沿着所述导轨与所述吸入喷嘴一起在所述第一轴方向上前后滑动;
第二轴滑块,设置在所述第一轴滑块的上部上,且沿着所述第一轴滑块在所述第二轴方向上前后滑动;
旋转轴导引件,插入到所述第二轴滑块的中央内部中;以及
衬底支撑板,设置到所述旋转轴导引件的上部。
9.一种用于衬底处理设备中的排气设备,其特征在于所述排气设备包括:
排气端口,设置到衬底的侧表面;
至少一个注射喷嘴,在所述衬底上彼此间隔开地设置且朝向所述衬底的外部方向注射气体;
供应单元,将气体供应给所述注射喷嘴;以及
吸入器,与所述衬底的下部间隔地设置,以吸入存在于所述衬底的所述下部上的副产物。
10.根据权利要求9所述的排气设备,其中所述排气端口形成于除了所述衬底的上部和下部之外的整个表面处,或形成于所述衬底的除了所述衬底的所述上部和所述下部以及所述衬底的进入方向之外的整个表面处。
11.根据权利要求9所述的排气设备,其中所述注射喷嘴包括:
多个第一注射喷嘴,在一个方向上彼此平行地设置;以及
多个第二注射喷嘴,在所述第一注射喷嘴的外部处在与所述一个方向交叉的另一方向上彼此平行地设置。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造