[发明专利]排气设备和具有排气设备的衬底处理设备

说明书

技术领域

本发明涉及排气设备和具有排气设备的衬底处理设备，且更明确地说，涉及能够容易地将副产物排出到腔室的外部的排气设备和具有排气设备的衬底处理设备。

背景技术

近年来，因为已提高准分子激光束的稳定性和输出，所以准分子激光束的使用范围对处理半导体材料的处理已更加广泛。

尤其是为了形成例如发光二极管(LED)等装置，主要通过产生激光束的激光处理设备来执行将薄膜与晶片衬底分离的处理。此处理被称作激光剥离(LLO)。(此处，图1是用于描述相关技术中的激光处理设备的视图)。

参看图1，激光处理设备1包含具有用于接纳衬底S的空间的腔室10，且气体入口12和气体出口14设置到腔室10，且传输窗口30安装在腔室10的上端上。激光辐射构件50安装在传输窗口30的上侧上，且从激光辐射构件50辐射的激光束55通过传输窗口30且到达腔室10中的衬底。

图2(a)、图2(b)是用于描述从辐射构件50辐射的激光束55的形式的视图，其中图2(a)是衬底的俯视图且图2(b)是衬底的透视图。如图2(a)、图2(b)所示，激光束55以线状辐射在衬底S上。衬底S在垂直于激光束55的线的方向(箭头方向)上移动，以执行激光束55对衬底S的整个表面的辐射。

在完成此处理之后，图3所示的排气设备可通过腔室10的下部的侧表面的气体出口14a和14b来排出在处理的执行中产生的副产物P。然而，因为气体出口形成在比设置衬底的地点低的位置处，所以定位在衬底的上部处的副产物不容易排出到腔室10的外部。因此，副产物保持在腔室内。且，因为副产物P通过自然循环而移动到出口并不容易，所以降低了腔室10的内部的清洁度。

因此，所产生的副产物污染并且损坏其它配置元件，从而导致激光处理设备的耐用性方面的降低。

此外，因为存在于衬底的上部上的副产物由于设置出口的位置而不容易排出，所以完成处理的产品的质量可能最终降低。

因此，在此之前已在真空中执行激光处理设备的处理来移除腔室中的颗粒。然而，存在一个问题，其中在完成处理之后，用于提高处理的良率且中断真空的氮气的量由于在真空状态下执行的处理而过多。此外，虽然在密封的氮气氛围中执行处理来防止外来颗粒的流入，但不容易移除腔室10内产生的副产物。

相关技术文献

专利文献

(专利文献1)KR2004-0096317A1

发明内容

本发明提供能够容易地将在衬底的处理过程中产生的副产物排出到腔室的外部的排气设备和具有排气设备的衬底处理设备。

本发明还提供能够提高处理效率和生产率的排气设备和具有排气设备的衬底处理设备。

本发明还提供能够提高处理设备的耐用性的排气设备和具有排气设备的衬底处理设备。

根据示范性实施例，一种衬底处理设备包含：腔室，形成处理衬底的内部空间；排气装置，将在衬底的处理过程中产生的副产物排出到腔室的外部；衬底支撑件，在所述腔室的所述内部空间中支撑所述衬底；以及激光产生单元，将激光束辐射到设置在所述衬底支撑件上的所述衬底上，其中所述排气装置包含排气端口，所述排气端口形成于除了所述腔室的上部和下部之外的侧壁处，且以单个或多个设置到所述侧壁。

所述排气端口可形成于所述腔室的除了所述腔室的所述上部或所述下部之外的整个侧壁处，或形成于所述腔室的除了所述腔室的所述上部和所述下部以及形成进入口的侧壁之外的整个侧壁处。

以上排气设备可还包含注射器，所述注射器具有设置在所述排气端口的上侧处且朝向下部注射气体的注射喷嘴。

多个注射孔可形成于所述注射喷嘴处，且所述注射孔可形成为朝向腔室的侧壁方向注射气体。

从所述激光产生单元产生的激光束所通过的传输窗口可形成于所述腔室的上侧上，且所述注射喷嘴可环绕所述传输窗口而设置。

所述腔室可包含：下部块，其中所述衬底支撑件设置在其上部上；以及盖，覆盖所述下部块的上部以密封所述下部块，其中装载或卸载所述衬底所通过的衬底进入口形成于侧壁中的除了所述盖的上部侧壁之外的至少一个侧壁中。

用于吸入副产物的吸入器可设置到衬底支撑件的两侧的下部，其中所述吸入器可包含：压力调整单元，调整用于吸入所述副产物的压力；以及吸入喷嘴，具有通过其吸入所述副产物的吸入孔。

所述衬底支撑件可为能够在所述腔室内传递所述衬底的衬底传递单元。