[发明专利]n沟道SONOS器件及其编译方法有效
| 申请号： | 201410428695.3 | 申请日： | 2014-08-27 |
| 公开（公告）号： | CN104241396B | 公开（公告）日： | 2020-05-15 |
| 发明（设计）人： | 顾经纶 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/792 | 分类号： | H01L29/792;G11C16/10 |
| 代理公司： | 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31275 | 代理人： | 吴世华;林彦之 |
| 地址： | 201210 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 沟道 sonos 器件 及其 编译 方法 | ||
1.一种n沟道SONOS器件的编译方法，该SONOS器件包括p型半导体衬底，位于该衬底内的n型掺杂的源区和漏区，位于所述源区和漏区之间的p型掺杂的晕圈注入区；以及位于该源区和漏区之间的该衬底上的一栅极结构，其中该栅极结构由该p型半导体衬底往上依次包括遂穿氧化层、氮化硅层、阻挡氧化层和多晶硅栅极，其特征在于，该编译方法包括：
对该多晶硅栅极施加正的栅极电压，对该源区施加0V的源极电压，对该漏区施加大于所述源极电压的漏极电压，以及对该衬底施加大于所述漏极电压的正的衬底电压，在所述栅极电压和源极电压的电压差作用下使得所述晕圈注入区靠近所述源区和遂穿氧化层的区域中产生带带遂穿电子，该带带遂穿电子在所述衬底电压和源极电压的电压差作用下加速并在所述栅极电压作用下进入所述遂穿氧化层。
2.根据权利要求1所述的编译方法，其特征在于，所述栅极电压为10V～15V，所述漏极电压为1.5V～2V，所述衬底电压为3V～4V。
3.根据权利要求1所述的编译方法，其特征在于，所述晕圈注入区掺杂硼，其能量为2KeV～4KeV，剂量为1e13/cm2～1e14/cm2，掺杂浓度为5e17/cm3～5e18/cm3。
4.根据权利要求1所述的编译方法，其特征在于，所述遂穿氧化层的厚度为6～10nm，所述氮化硅层厚度为5～10nm，所述阻挡氧化层的厚度为7～12nm，所述多晶硅栅极的厚度为70nm～150nm。
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