[发明专利]显影液喷嘴检验模板及方法有效
申请号: | 201410429457.4 | 申请日: | 2014-08-28 |
公开(公告)号: | CN105404101B | 公开(公告)日: | 2019-10-22 |
发明(设计)人: | 易旭东;王跃刚 | 申请(专利权)人: | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
主分类号: | G03F7/30 | 分类号: | G03F7/30 |
代理公司: | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人: | 牛峥;王丽琴 |
地址: | 201203 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 切割道 显影喷嘴 显影液喷嘴 条形光 检验 喷洒 半导体基底表面 半导体基底 显影缺陷 准确定位 最短距离 交界处 显影剂 显影液 相邻边 同组 平行 对准 损伤 检测 观察 | ||
1.一种显影喷嘴检验模板,用于对显影喷嘴进行检测,所述显影喷嘴的数量为多个,所述显影喷嘴设置于水平延伸的喷淋管上,且在喷淋管延伸方向上等间隔排列;其特征在于,所述显影喷嘴检验模板包括半导体基底以及图案化光刻胶;
其中,所述半导体基底上形成有至少一组相互平行的切割道,每条所述切割道的宽度大于等于所述显影喷嘴宽度,且同组切割道中两相邻切割道的相邻边的距离等于两相邻所述显影喷嘴边缘之间的最短距离;
所述图案化光刻胶形成于所述切割道之间的半导体基底表面,所述图案化光刻胶包括形成于半导体基底表面与切割道交界处的条形光刻胶。
2.根据权利要求1所述的模板,其特征在于,所述半导体基底上形成有一组相互平行的第一切割道,以及与所述第一切割道延伸方向正交的一组第二切割道,且所述第一、第二切割道的宽度大于等于所述显影喷嘴宽度,且两相邻所述第一切割道相邻边的距离、两相邻所述第二切割道相邻边的距离等于两相邻所述显影喷嘴边缘之间的最短距离。
3.根据权利要求2所述的模板,其特征在于,所述图案化光刻胶包括形成于半导体基底表面与第一切割道交界处的第一条形光刻胶,以及形成于半导体基底表面与第二切割道交界处的第二条形光刻胶。
4.根据权利要求3所述的模板,其特征在于,所述半导体基底形成有零层对准标记。
5.一种显影喷嘴检验方法,用于对显影喷嘴进行检测,所述显影喷嘴的数量为多个,所述显影喷嘴设置于水平延伸的喷淋管上,且在喷淋管延伸方向上等间隔排列;其特征在于,包括:
提供显影喷嘴检验模板,包括半导体基底以及图案化光刻胶;所述半导体基底上形成有至少一组相互平行的切割道,每条所述切割道的宽度大于等于所述显影喷嘴宽度,且同组切割道中两相邻切割道的相邻边的距离等于两相邻所述显影喷嘴边缘之间的最短距离;所述图案化光刻胶形成于所述切割道之间的半导体基底表面,所述图案化光刻胶包括形成于半导体基底表面与切割道交界处的条形光刻胶;
将多个显影喷嘴与所述一组切割道中的多个切割道一一对准;
通过已对准的显影喷嘴喷洒显影剂;
待显影完成后观察所述条形光刻胶是否存在过显影缺陷,若存在,则判断存在过显影缺陷的条形光刻胶临近的切割道所对应的显影喷嘴发生损伤。
6.根据权利要求5所述的方法,其特征在于,所述半导体基底形成有零层对准标记,所述将多个显影喷嘴与所述一组切割道中的多个切割道一一对准包括:
通过所述零层对准标记对半导体基底进行定位放置;
通过旋转半导体基底将多个显影喷嘴与所述一组切割道中的多个切割道一一对准。
7.根据权利要求6所述的方法,其特征在于,所述半导体基底上形成有一组相互平行的第一切割道,以及与所述第一切割道延伸方向正交的一组第二切割道,且所述第一、第二切割道的宽度大于等于所述显影喷嘴宽度,且两相邻所述第一切割道相邻边的距离、两相邻所述第二切割道相邻边的距离等于两相邻所述显影喷嘴边缘之间的最短距离;
所述图案化光刻胶包括形成于半导体基底表面与第一切割道交界处的第一条形光刻胶,以及形成于半导体基底表面与第二切割道交界处的第二条形光刻胶;
8.根据权利要求7所述的方法,其特征在于,通过已对准的显影喷嘴喷洒显影剂时,所述显影喷嘴沿与其对应的切割道延伸方向移动喷洒显影剂。
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