[发明专利]显影液喷嘴检验模板及方法

说明书

本发明提供了一种显影液喷嘴检验模板及方法，检验模板包括至少一组形成在半导体基底上相互平行的切割道，以及在半导体基底表面与切割道交界处的条形光刻胶；每条切割道的宽度大于等于显影喷嘴宽度，且同组切割道中两相邻切割道的相邻边的距离等于两相邻显影喷嘴边缘之间的最短距离；在进行显影喷嘴检测时，将多个显影喷嘴与一组切割道中的多个切割道一一对准后，喷洒显影剂，通过观察喷洒显影液后的条形光刻胶是否存在过显影缺陷即可判断出其临近的切割道所对应的显影喷嘴发生损伤，进而实现了对显影喷嘴是否发生损坏进行检验的同时，对损坏的显影喷嘴进行准确定位的目的。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种半导体器件制造过程中显影液喷嘴检验模板及方法。

背景技术

半导体器件制造工艺中，光刻是其中的一个重要步骤，在该步骤中利用曝光和显影对晶圆表面形成的光刻胶进行图案化，然后通过刻蚀工艺将图案化光刻胶的图形转移到晶圆上。光刻工艺通常采用的步骤包括：首先，在晶圆表面涂覆光刻胶后，利用特定波长的光对覆盖晶圆的光刻胶进行选择性照射，光刻胶中的感光剂会发生光化学反应；在曝光过程结束后加入显影液，一般是通过显影喷嘴对已曝光的光刻胶喷洒显影液，正性光刻胶的被照射区域、负性光刻胶的未被照射区域会溶液于显影液，而剩余的未溶解的部分(正性光刻胶的未被照射区域和负性光刻胶的照射区域)则被保留，进而形成图案化的光刻胶；最后，利用该图案化的光刻胶作为掩膜进行刻蚀或离子注入，并在完成后去除光刻胶，得到期望的被处理晶圆。

光刻工艺中图案化光刻胶的精度，即图案化光刻胶的大小、尺寸等影响了半导体器件是否符合设计期望；而实际工艺实现中，图案化光刻胶的精度取决于诸多因素，如曝光精度、显影精度等等。其中，显影是通过一系列显影喷嘴对晶圆进行喷洒显影液完成的，现有的显影设备中包括水平延伸的喷淋管，多个显影喷嘴设置于喷淋管上，并在喷淋管延伸方向上等间隔排列。一般涂覆有光刻胶的晶圆上形成有切割道(scribe lane)，当某一喷嘴发生损坏后，其喷洒的显影液流量会发生变化，使得喷洒的显影液存在喷洒不均匀的现象；在此基础上，由于切割道的导流作用，导致显影液聚集会聚集在切割道内，使聚集有大量显影液的切割道附近的光刻胶过显影，进而使得图案化光刻胶精度降低，影响半导体器件合格率。

在现有技术中，尚无办法对可能存在损坏的喷嘴进行检验的装置和方法，并且无法对具体的损坏喷嘴进行定位，仅能在出现上述问题，产生废片后对喷淋管上的喷嘴进行整体更换，因此增加了工艺成本。

发明内容

为解决上述问题，本发明提供了一种显影液喷嘴检验模板及方法，以实现对显影喷嘴是否发生损坏进行检验，并对损坏的显影喷嘴进行准确定位，进而提高半导体器件的产品合格率。

本发明提供了一种显影喷嘴检验模板，用于对显影喷嘴进行检测，多个所述显影喷嘴设置于水平延伸的喷淋管，且在喷淋管延伸方向上等间隔排列；所述显影喷嘴检验模板包括半导体基底以及图案化光刻胶；

其中，所述半导体基底上形成有至少一组相互平行的切割道，每条所述切割道的宽度大于等于所述显影喷嘴宽度，且同组切割道中两相邻切割道的相邻边的距离等于两相邻所述显影喷嘴边缘之间的最短距离；

所述图案化光刻胶形成于所述切割道之间的半导体基底表面，所述图案化光刻胶包括形成于半导体基底表面与切割道交界处的条形光刻胶。

进一步，所述半导体基底上形成有一组相互平行的第一切割道，以及与所述第一切割道延伸方向正交的一组第二切割道，且所述第一、第二切割道的宽度大于等于所述显影喷嘴宽度，且两相邻所述第一切割道相邻边的距离、两相邻所述第二切割道相邻边的距离等于两相邻所述显影喷嘴边缘之间的最短距离。

进一步，所述图案化光刻胶包括形成于半导体基底表面与第一切割道交界处的第一条形光刻胶，以及形成于半导体基底表面与第二切割道交界处的第二条形光刻胶。

进一步，所述半导体基底形成有零层对准标记。