[发明专利]一种魔芋的栽培方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种植物的栽培方法，特别是涉及一种魔芋的栽培方法。

背景技术

地膜覆盖栽培法使魔芋提早萌发，改善魔芋生长的土壤环境，有利于土壤保肥、保水及增温，抑制杂草生长和减少病虫危害，使魔芋充分利用光、温、肥、水、气等营养条件，加快魔芋的生长发育，促进干物质的积累，从而提高魔芋球茎的产量。魔芋地膜覆盖栽培法虽优点多，却存在一个破膜放苗的技术难题。当前魔芋地膜覆盖栽培方法中的破膜放苗工序都靠人工完成。人工破膜放苗存在三个技术缺陷，一是破膜不及时易导致高温烧苗，二是破膜放苗时农户凭经验开孔，放苗孔大小不一，导致保温、保湿效果降低，三是需多次多天破膜放苗，人工成本高。魔芋膜上覆土自然破膜出苗栽培技术利用膜上土壤的重力作用及魔芋幼苗的向光性，使魔芋幼苗自然顶破地膜出土，解决了魔芋地膜覆盖栽培中破膜放苗的技术难题。

发明内容

本发明要解决的技术问题是提供一种成本低、操作简便、栽培效果好的魔芋的栽培方法。

一种魔芋的栽培方法，包括如下步骤：选地、魔芋种的选择、施肥、播种、起垄和魔芋种覆土、覆盖地膜和膜上覆土，其中，所述膜上覆土方法为：在晴天将田间土壤用筛子过滤，然后将过滤得到的细土均匀覆盖在地膜上，覆土厚度为3～5cm，覆土后用板状物在垄面压一压，使地膜充分与土壤接触。

本发明所述的魔芋的栽培方法，其中所述地膜为厚为0.008～0.015mm的黑色或白色地膜，地膜覆盖时间为当田间土壤持水量为60％-80％时及时覆盖地膜，膜上覆土厚度为3～5cm。

本发明所述的魔芋的栽培方法，其中所述魔芋种的规格为大于或等于50g，所述魔芋种覆土步骤具体为：50-99g的魔芋种覆土厚度为5-8cm，100-149g的魔芋种覆土厚度为8-12cm，150g以上的魔芋种覆土厚度为12-15cm。

本发明所述的魔芋的栽培方法，其中所述筛子为10mm-40mm的标准土壤筛，过滤后的土壤颗粒直径为10mm-40mm。

本发明所述的魔芋的栽培方法，其包括如下步骤：

(1)选地：选择土层深厚、结构疏松的平整土地或缓坡土地，土地最大坡度不超过15％土地要深耕整细，捡出前茬秸秆；

(2)魔芋种的选择：选择无病、无破损的健康魔芋种，魔芋种要大于或等于50g，魔芋种不切块；

(3)设计播种密度：播种密度为行距80-100cm，株距50-60cm，采用穴播，穴直径30-40cm，穴深20-25cm；

(4)施肥：一次性施足肥料，包括有机肥和硫酸钾复合肥，有机肥施肥量为25000～30000kg/hm²，有机肥至少提前30天堆沤；有机肥堆沤方法为：将有机肥堆于干燥平整的地方，堆高1.5-2.0m，堆长随有机肥施用量而定，堆形横截面为梯形，然后在堆上覆盖白色薄膜，薄膜要求将有机肥完全覆盖，在有机肥堆脚用细土将薄膜压紧，以使有机肥堆内的温度快速升高，达到杀虫、灭菌、除草籽的作用。硫酸钾复合肥N:P:K养分比为15：15：15，硫酸钾复合肥施肥量为500～700kg/hm²，所述有机肥及所述硫酸钾复合肥施于每穴正中，所述硫酸钾复合肥施在所述有机肥的下部；

(5)播种：采用整芋播种，魔芋种播于有机肥之上；

(6)起垄和魔芋种覆土：垄底宽为60～70cm，垄面宽为40-50cm，垄高为25～30cm，垄上土壤为细碎的土壤；在魔芋种上进行覆土，50-99g的魔芋种覆土厚度为5-8cm，100-149g的魔芋种覆土厚度为8-12cm，150g以上的魔芋种覆土厚度为12-15cm；

(7)覆盖地膜：选用幅宽为80-100cm、厚为0.008～0.015mm的黑色或白色地膜，在雨后初晴、当田间土壤持水量为60％-80％时及时覆盖地膜，覆膜时通过拉拽使地膜紧贴垄面，覆膜后在垄两侧用土壤将地膜固定；

(8)膜上覆土：在晴天将田间土壤用筛子过滤，然后将过滤得到的细土均匀覆盖在地膜上，覆土厚度为3～5cm，覆土后用板状物在垄面压一压，使地膜充分与土壤接触，所述筛子为10mm-40mm的标准土壤筛，其中，膜上覆土的土壤要求无杂草、石块及其他尖锐物，田间土壤持水量为50％以下的土壤、土壤颗粒直径为10mm-40mm。