[发明专利]扇出型晶片级封装结构

权利要求书

1.一种扇出型晶片级封装结构，包括：

半导体元件，包括多个接合垫；

封胶，包覆该半导体元件；

第一扇出结构，形成于该半导体元件上，其中该第一扇出结构具有多个扇出接触点，该些扇出接触点电连接于该些接合垫；

导电散热板，形成于该第一扇出结构上，其中该导电散热板具有多个填充一导电材料的穿孔；

多个焊接球，形成于该导电散热板上，其中该些焊接球经由填充该导电材料的该些穿孔电连接至该第一扇出结构；以及

第二扇出结构，形成于该导电散热板上，其中该第一扇出结构电连接于该第二扇出结构。

2.如权利要求1所述的扇出型晶片级封装结构，其中该导电散热板包括多个绝缘层，形成于该些填充该导电材料的穿孔的侧壁和该导电材料之间。

3.如权利要求1所述的扇出型晶片级封装结构，其中该导电散热板包括导电层，该导电层包括硅、铜或铝的至少其中之一。

4.如权利要求3所述的扇出型晶片级封装结构，其中该导电散热板还包括两层绝缘的氧化层，分别形成于该导电层的两个相对表面上。

5.如权利要求1所述的扇出型晶片级封装结构，其中该第一扇出结构包括：

有机介电层；以及

多个扇出导线，形成于该有机介电层中。

6.如权利要求5所述的扇出型晶片级封装结构，其中该些扇出导线电连接于该第一扇出结构的该些扇出接触点。

7.如权利要求5所述的扇出型晶片级封装结构，其中该些扇出导线具有第一线宽，该些填充该导电材料的穿孔具有第二线宽，该第二线宽大于该第一线宽。

8.如权利要求5所述的扇出型晶片级封装结构，其中该第一扇出结构还包括：

至少一被动元件，形成于该有机介电层中。

9.如权利要求1所述的扇出型晶片级封装结构，其中该第二扇出结构电连接至该些焊接球。

10.如权利要求1所述的扇出型晶片级封装结构，还包括：

第三扇出结构，形成于该导电散热板上，其中该第二扇出结构和该第三扇出结构分别形成于该导电散热板的两个相对表面上，该第三扇出结构电连接于该第二扇出结构。

11.如权利要求1所述的扇出型晶片级封装结构，其中该些接合垫包括铝。

12.如权利要求1所述的扇出型晶片级封装结构，其中该些焊接球形成一球栅阵列。

13.如权利要求1所述的扇出型晶片级封装结构，还包括：

至少一封胶穿孔，形成于该封胶中，其中该封胶穿孔电连接至该些焊接球的至少其中之一。

14.如权利要求1所述的扇出型晶片级封装结构，其中该半导体元件还包括一介电结构，形成于该些接合垫上。