[发明专利]扇出型晶片级封装结构

说明书

技术领域

本发明内容涉及一种扇出型晶片级封装结构，且特别是涉及一种具有良好散热效果的扇出型晶片级封装结构。

背景技术

近年来，由于扇出型晶片级封装结构(fan-out wafer level packages，FOWLP)具有高效能及低成本的特点，已经被广泛地应用于半导体芯片的制作。举例而言，扇出型晶片级封装结构的技术，已经作为一种采用28纳米规格的晶片制作行动式产品的方式。

然而，仍然有一些课题需要解决，例如是散热效率以及结构脱层(structural delamination)。因此，对于具有可靠效能的改良的扇出型晶片级封装结构仍一直有需求。

发明内容

本发明的目的在于提供一种扇出型晶片级封装结构，在该扇出型晶片级封装结构中，导电散热板形成于第一扇出结构上，有助于提高整体的散热效果，进而提高扇出型晶片级封装结构的整体稳定性。

为达上述目的，根据本发明内容的一实施例，提出一扇出型晶片级封装结构。扇出型晶片级封装结构包括一半导体元件、一封胶、一第一扇出结构、一导电散热板以及多个焊接球。半导体元件包括多个接合垫。封胶包覆半导体元件。第一扇出结构形成于半导体元件上，其中第一扇出结构具有多个扇出接触点，此些扇出接触点电连接于此些接合垫。导电散热板形成于第一扇出结构上，其中导电散热板具有多个填充一导电材料的穿孔。焊接球形成于导电散热板上，其中焊接球经由填充导电材料的穿孔电连接至第一扇出结构。

为了对本发明的上述及其他方面有更佳的了解，下文特举优选实施例，并配合所附的附图，作详细说明如下：

附图说明

图1为本发明内容一实施例的扇出型晶片级封装结构的示意图；

图2为本发明内容一实施例的导电散热板的局部示意图；

图3为本发明内容再一实施例的扇出型晶片级封装结构的示意图；

图4为本发明内容又一实施例的扇出型晶片级封装结构的示意图；

图5为本发明内容还一实施例的扇出型晶片级封装结构的示意图。

符号说明

10、20、30、40：扇出型晶片级封装结构

100：半导体元件

110：接合垫

120：介电结构

200：封胶

200T：封胶穿孔

300：第一扇出结构

310：扇出接触点

320：有机介电层

330：扇出导线

400：导电散热板

400s：侧壁

400T：穿孔

410：导电材料

420：绝缘层

430：导电层

430s：表面

440：氧化层

500：焊接球

2300：第二扇出结构

3300：第三扇出结构

W1：第一线宽

W2：第二线宽

具体实施方式

根据本发明内容的实施例，扇出型晶片级封装结构中，导电散热板形成于第一扇出结构上，有助于提高整体的散热效果，进而提高扇出型晶片级封装结构的整体稳定性。附图中相同的标号用以标示相同或类似的部分。需注意的是，附图已简化以利清楚说明实施例的内容，实施例所提出的细部结构仅为举例说明之用，并非对本发明内容欲保护的范围做限缩。具有通常知识者当可依据实际实施态样的需要对该些结构加以修饰或变化。

图1绘示根据本发明内容一实施例的扇出型晶片级封装结构10的示意图。扇出型晶片级封装结构10包括一半导体元件100、一封胶200、一第一扇出结构300、一导电散热板400以及多个焊接球500。图1中所示的两个半导体元件100可以是两个相同的半导体元件或是两个不同的半导体元件。此处所指的相同或不同指其功能或面积或厚度或制作工艺世代(如90nm、65nm、28nm的制作工艺世代)。半导体元件100包括多个接合垫110，封胶200包覆半导体元件100。第一扇出结构300形成于半导体元件100上，其中第一扇出结构300具有多个扇出接触点310，扇出接触点310电连接于接合垫110。导电散热板400形成于第一扇出结构300上，其中导电散热板400具有多个填充导电材料410的穿孔400T。焊接球500形成于导电散热板400上，其中焊接球500经由填充导电材料410的穿孔400T电连接至第一扇出结构300。