[发明专利]半导体结构的形成方法

权利要求书

1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：

提供衬底；

在所述衬底表面形成复合层，所述复合层包括交错重叠的若干层绝缘层和若干层牺牲层，且所述复合层的顶层和底层均为绝缘层；

在所述复合层表面形成掩膜层，所述掩膜层暴露出部分复合层表面；

以所述掩膜层为掩膜，刻蚀部分所述复合层，在所述复合层内形成第一开口；

在所述第一开口的侧壁表面形成保护层；

以所述掩膜层和保护层为掩膜，刻蚀所述第一开口底部，在所述第一开口底部形成第二开口；

刻蚀所述第二开口的侧壁，刻蚀所述第二开口的侧壁的工艺为各向同性的刻蚀工艺，使所述第二开口的牺牲层侧壁顶部与所述第一开口的牺牲层侧壁顶部齐平。

2.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，还包括：在刻蚀所述第二开口的侧壁之后，重复所述形成保护层、形成第二开口、以及采用各向同性的刻蚀工艺刻蚀所述第二开口的侧壁的步骤，直至暴露出衬底表面为止，在所述复合层内形成通孔。

3.如权利要求2所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，还包括：在刻蚀所述第二开口的侧壁之后，去除所述保护层；在去除所述保护层之后，重复所述形成第一开口、形成保护层、形成第二开口、以及采用各向同性的刻蚀工艺刻蚀所述第二开口的侧壁的步骤。

4.如权利要求2所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，还包括：在所述通孔的侧壁表面形成沟道层；在形成所述沟道层之后，去除所述牺牲层，在相邻两侧绝缘层之间形成第三开口；在所述第三开口内形成栅极结构，所述栅极结构包括：位于第三开口的侧壁和底部表面的栅介质层、以及位于栅介质层表面且填充满第三开口的栅极层。

5.如权利要求4所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，还包括：在若干层栅极结构上形成位于沟道层顶部的若干位线；形成与各栅极层连接的若干字线。

6.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一开口的数量大于或等于2个。

7.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述保护层在刻蚀所述复合层的同时形成。

8.如权利要求7所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述保护层的材料为含碳的聚合物材料。

9.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，在刻蚀所述复合层并形成第一开口之后，在所述第一开口的侧壁表面形成保护层。

10.如权利要求9所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述保护层的形成工艺包括：在掩膜层表面、以及第一开口的侧壁和底部表面形成保护膜；回刻蚀所述保护膜，直至暴露出所述掩膜层表面和第一开口的底部表面为止，形成保护层。

11.如权利要求9所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述保护层的材料与牺牲层和绝缘层的材料不同，且所述保护层的材料为含硅材料。

12.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成所述第一开口的刻蚀工艺为各向异性的干法刻蚀工艺，所述各向异性的干法刻蚀工艺包括：刻蚀气体包括氧气、氩气和碳氟化合物气体，所述碳氟化合物气体包括CF₄、CHF₃、C₄F₈、C₄F₆、CH₂F₂中的一种或多种，气压为2毫托～50毫托，功率大于100瓦，偏置电压大于100伏。

13.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述各向同性的刻蚀工艺为湿法刻蚀工艺或干法刻蚀工艺。