[发明专利]芯片电子组件及其制造方法

权利要求书

1.一种芯片电子组件，包括磁体，该磁体包括绝缘衬底、形成于所述绝缘衬底的两个表面上并且通过穿透所述绝缘衬底的贯通电极彼此电连接的内部线圈部件、以及形成于所述磁体的端表面上并且连接至所述内部线圈部件的外部电极：

其中，所述绝缘衬底包括：第一绝缘衬底；以及第二绝缘衬底，分别堆叠在所述第一绝缘衬底的上、下表面上；

其中，所述贯通电极包括：第一贯通电极，穿透所述第一绝缘衬底；第一贯通衬垫，布置在所述第一绝缘衬底的上、下表面上以覆盖所述第一贯通电极；第二贯通电极，布置在所述第一贯通衬垫上，并且穿透所述第二绝缘衬底；以及第二贯通衬垫，布置在所述第二绝缘衬底的表面上以覆盖所述第二贯通电极；

其中，所述第二贯通衬垫具有比所述第一贯通衬垫更小的面积，

其中，所述第二贯通电极被形成在偏离所述第一贯通电极的位置，以便与所述第一贯通电极以预定的距离间隔开，

其中，所述第一贯通电极的中心点和所述第二贯通电极的中心点之间在所述磁体的长度方向上的距离在50μm至80μm范围内，

其中，所述第一贯通电极的直径在40μm至80μm范围内，并且

其中，所述第二贯通电极的直径在10μm至40μm范围内。

2.根据权利要求1所述的芯片电子组件，其中，所述第二贯通电极具有比所述第一贯通电极更小的直径。

3.根据权利要求1所述的芯片电子组件，其中，所述第二绝缘衬底具有比所述第一绝缘衬底更薄的厚度。

4.根据权利要求1所述的芯片电子组件，其中，所述第一绝缘衬底的厚度在50μm至70μm范围内。

5.根据权利要求1所述的芯片电子组件，其中，所述第二绝缘衬底的厚度在10μm至30μm范围内。

6.根据权利要求1所述的芯片电子组件，其中，所述第二贯通衬垫的长边的长度在40μm至140μm范围内。

7.一种芯片电子组件，包括：

磁体，包括绝缘衬底；

内部线圈部件，形成在所述绝缘衬底的两个表面上，并且通过穿透所述绝缘衬底的贯通电极彼此电连接；以及

外部电极，形成于所述磁体的端表面上，并且连接至所述内部线圈部件，

其中所述贯通电极包括第一贯通电极和第二贯通电极，该第一贯通电极穿透所述绝缘衬底的中心部件，以及该第二贯通电极穿透所述绝缘衬底的上、下部分并且具有比所述第一贯通电极更小的直径，

其中，所述第二贯通电极被形成在偏离所述第一贯通电极的位置，以便与所述第一贯通电极以预定的距离间隔开，

其中，所述第一贯通电极的中心点和所述第二贯通电极的中心点之间在所述磁体的长度方向上的距离在50μm至80μm范围内，

其中，所述第一贯通电极的直径在40μm至80μm范围内，并且

其中，所述第二贯通电极的直径在10μm至40μm范围内。

8.根据权利要求7所述的芯片电子组件，还包括第一贯通衬垫和第二贯通衬垫，该第一贯通衬垫形成于所述绝缘衬底的中心部件的上、下表面上以覆盖所述第一贯通电极，该第二贯通衬垫形成于所述绝缘衬底的上、下部分的表面上以覆盖所述第二贯通电极，

其中所述第二贯通衬垫具有比所述第一贯通衬垫更小的面积。