[发明专利]一种图案化石墨烯制作方法、阵列基板以及显示装置有效
| 申请号： | 201410433335.2 | 申请日： | 2014-08-28 |
| 公开（公告）号： | CN104332390B | 公开（公告）日： | 2017-07-28 |
| 发明（设计）人： | 吕志军;石岳;邸云萍;惠官宝 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京中博世达专利商标代理有限公司11274 | 代理人： | 申健 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 图案 化石 制作方法 阵列 以及 显示装置 | ||
1.一种图案化石墨烯制作方法，其特征在于，包括：
将石墨烯转移至聚对苯二甲酸乙二醇酯膜上，然后用高温胶带将其贴服在玻璃基底上；
对贴服有石墨烯的玻璃基底进行光刻工艺，以在所述玻璃基底上形成有光刻胶图案；
对所述形成有光刻胶图案的玻璃基底进行干法刻蚀，以除去未被光刻胶图案覆盖的石墨烯；
待干法刻蚀完毕后，剥离除去玻璃基底上的光刻胶，以得到图案化石墨烯；
将所述图案化石墨烯置于酸性刻蚀液中浸泡，以降低浸泡后的所述图案化石墨烯的方阻、并获得精细化的图案化石墨烯。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述浸泡后的所述图案化石墨烯的方阻≤石墨烯的初始方阻。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述酸性刻蚀液的pH为1-3。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，将所述图案化石墨烯置于酸性刻蚀液中浸泡100-140秒。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述酸性刻蚀液包括重金属无机酸类和非金属无机酸类中的一种或多种。
6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述重金属无机酸类包括氯金酸和氯铂酸中的一种或多种。
7.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述非金属无机酸类包括硝酸、磷酸和硫酸中的一种或多种。
8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述石墨烯为双层石墨烯或三层石墨烯。
9.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述石墨烯为掺杂石墨烯或未掺杂石墨烯。
10.一种阵列基板，其特征在于，包括如权利要求1-9任一项所述方法制作得到的图案化石墨烯。
11.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求10所述的阵列基板。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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