[发明专利]一种图案化石墨烯制作方法、阵列基板以及显示装置

说明书

技术领域

本发明涉及电极材料领域，尤其涉及一种图案化石墨烯制作方法、阵列基板以及显示装置。

背景技术

石墨烯是一种由单层碳原子紧密堆积成二维蜂窝状结构的碳质新材料。理论发现：石墨烯具有200,000cm²/Vs的迁移率，比硅高出100倍，其导电性可与铜相媲美，光透射率可达97.7％，远高于导电薄膜，同时石墨烯具有高柔性，不仅可作为现有材料的替代材料，也可应用于次世代晶体管以及电极元件的材料，因此备受瞩目。

现有的对石墨烯进行图案化的方法大致分为两种，一种为光刻法，另一种为激光直写法。相比于光刻法，采用激光直写的方式对石墨烯图案化具有以下优点：工艺简单、全程无需化学耗材、且在进行图案化的过程中由于未引入其它试剂，使得石墨烯膜层中的掺杂基团不会与之反应而导致石墨烯方阻发生变化，但该方法制作得到的图案化石墨烯由于不够精细化、且生产周期较长、生产效率远不及光刻法，无法进行大批量生产的劣势，使得现阶段只能采用光刻法对石墨烯进行图案化。

但在实际生产中发明人发现，在利用光刻法对石墨烯进行图案化的过程中所使用的显影液、剥离液都会使制作得到的石墨烯膜方阻显著增加，使其不能满足于实际需求。所以，如何获得低石墨烯薄膜方阻将是本领域技术人员所面临的重要课题。

发明内容

本发明实施例提供了一种图案化石墨烯制作方法、阵列基板以及显示装置，以解决光刻法制作图案化石墨烯时方阻变化较大的问题。

为达到上述目的，本发明的实施例采用如下技术方案：

一种图案化石墨烯制作方法，包括：

将图案化石墨烯置于酸性刻蚀液中浸泡，以降低浸泡后的所述图案化石墨烯的方阻。

可选的，所述浸泡后的所述图案化石墨烯的方阻≤石墨烯的初始方阻。

可选的，所述酸性刻蚀液的pH为1-3。

可选的，将所述图案化石墨烯置于酸性刻蚀液中浸泡100-140秒。

可选的，所述酸性刻蚀液包括重金属无机酸类和非金属无机酸类中的一种或多种。

进一步的，所述重金属无机酸类包括氯金酸和氯铂酸中的一种或多种。

进一步的，所述非金属无机酸类包括硝酸、磷酸和硫酸中的一种或多种。

可选的，在所述将图案化石墨烯置于酸性刻蚀液中浸泡之前，还包括：

对贴服有石墨烯的玻璃基底进行光刻工艺，以在所述玻璃基底上形成有光刻胶图案；

对所述形成有光刻胶图案的玻璃基底进行干法刻蚀，以除去未被光刻胶图案覆盖的石墨烯；

待干法刻蚀完毕后，剥离除去玻璃基底上的光刻胶，以得到所述图案化石墨烯。

可选的，所述石墨烯为双层石墨烯或三层石墨烯。

可选的，所述石墨烯为掺杂石墨烯或未掺杂石墨烯。

可选的，在所述对贴服有石墨烯的玻璃基板进行光刻工艺之前，还进一步包括：

将所述石墨烯转移至聚对苯二甲酸乙二醇酯膜上，然后用高温胶带将其贴服在玻璃基底上。

一种阵列基板，包括由上述技术方案制作得到的图案化石墨烯。一种显示装置，包括由上述技术方案提供的阵列基板。

本发明实施例提供了一种图案化石墨烯的制作方法、阵列基板以及显示装置，该方法利用酸性刻蚀液对图案化石墨烯进行浸泡，使刻蚀液中的酸根离子与石墨烯膜层中的掺杂离子发生化学反应，以在石墨烯膜层表面重新掺杂有电性活泼的金属离子基团，从而使石墨烯膜层表面的电化学活性变得活泼，这不仅可显著降低光刻法图案化后石墨烯的方阻，还可获得精细化的图案化石墨烯，为石墨烯的量产奠定基础。

附图说明

图1为本发明实施例所提供的图案化石墨烯制作方法的流程图；

图2为现有激光直写法与本发明所提供的方法就相同石墨烯原料在不同线宽下进行图案化所得到的对比图。

具体实施方式

下面将结合附图对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

下面对本发明实施例提供的图案化石墨烯制作方法、阵列基板以及显示装置进行详细描述。

本发明实施例提供了一种图案化石墨烯制作方法，包括：将图案化石墨烯置于酸性刻蚀液中浸泡，以降低浸泡后的所述图案化石墨烯的方阻。