[发明专利]双读取器结构

权利要求书

1.一种用于磁记录的装置，包括：

层叠的双读取器，其具有通过中屏蔽件隔开的下传感器叠层和上传感器叠层，其中所述下传感器叠层和所述上传感器叠层沿下磁道方向成镜像，所述下传感器叠层布置在下屏蔽件与所述中屏蔽件之间，所述上传感器叠层布置在上屏蔽件与所述中屏蔽件之间，所述下屏蔽件与所述中屏蔽件之间的引线中的电流方向和所述上屏蔽件与所述中屏蔽件之间的引线中的电流方向相反。

2.如权利要求1所述的装置，其中所述中屏蔽件包括中上屏蔽件和中下屏蔽件，所述下传感器叠层布置在所述下屏蔽件与中下屏蔽件之间，下传感器的自由层邻近所述中下屏蔽件，并且其中所述上传感器叠层布置在所述上屏蔽件与中上屏蔽件之间，所述上传感器叠层的自由层邻近所述中上屏蔽件。

3.如权利要求2所述的装置，还包括在所述中下屏蔽件与所述中上屏蔽件之间的绝缘层。

4.如权利要求2所述的装置，其中所述中下屏蔽件还包括反铁磁AFM层。

5.如权利要求2所述的装置，其中所述上屏蔽件是合成反铁磁SAF屏蔽件，并且所述下屏蔽件是合成反铁磁SAF屏蔽件。

6.如权利要求2所述的装置，还包括上信号读取器电路和下信号读取器电路，所述上信号读取器电路配置在所述中上屏蔽件与所述上屏蔽件之间，所述下信号读取器电路配置在所述中下屏蔽件与所述下屏蔽件之间，其中所述上信号读取器电路和所述下信号读取器电路中的电流方向是反向平行的。

7.如权利要求6所述的装置，其中所述上信号读取器信号的连接到所述中上屏蔽件的端部的极性与所述下信号读取器电路的连接到所述中下屏蔽件的端部的极性相同。

8.如权利要求2所述的装置，其中所述上传感器叠层的自由层与所述下传感器叠层的自由层之间的下磁道距离近似在10nm至40nm的范围内。

9.如权利要求2所述的装置，其中所述中下屏蔽件的极性与所述中上屏蔽件的极性相同。

10.双读取器，包括：

通过单个中屏蔽件隔开的下传感器叠层和上传感器叠层，所述下传感器叠层布置在下屏蔽件与所述中屏蔽件之间，所述上传感器叠层布置在上屏蔽件与所述中屏蔽件之间，所述下屏蔽件与所述中屏蔽件之间的引线中的电流方向和所述上屏蔽件与所述中屏蔽件之间的引线中的电流方向相反。

11.如权利要求10所述的双读取器，其中所述下传感器叠层和所述上传感器叠层沿着下磁道方向成镜像。

12.如权利要求11所述的双读取器，其中所述下传感器叠层包括与所述下屏蔽件相接触的反铁磁AFM层，并且所述上传感器叠层包括与所述上屏蔽件相接触的反铁磁AFM层。

13.如权利要求11所述的双读取器，其中在所述下传感器叠层与所述上传感器叠层之间不存在绝缘层。

14.如权利要求11所述的双读取器，其中所述上传感器叠层的自由层与所述下传感器叠层的自由层之间的所述下磁道距离近似在10nm至40nm的范围内。

15.如权利要求12所述的双读取器，还包括配置为从所述双读取器读取信号的三引线前置放大器电路。

16.如权利要求15所述的双读取器，其中所述三引线前置放大器电路的第一引线连接到所述上屏蔽件，所述三引线前置放大器电路的第二引线连接到所述中屏蔽件，并且所述三引线前置放大器电路的第三引线连接到所述下屏蔽件。