[发明专利]双读取器结构

说明书

本申请公开了双读取器结构。本文所描述和主张的实施方案提供了具有下传感器叠层和上传感器叠层的层叠式双读取器，其中所述下传感器叠层和上传感器叠层沿着下磁道方向成镜像。

背景技术

在磁数据存储和取回系统中，磁读/写头通常包括读取器部分，读取器部分具有磁阻(MR)传感器，用于取回存储在磁盘上的磁编码信息。来自磁盘表面的磁通使得MR传感器的传感层的磁化矢量旋转，这依次引起MR传感器的电阻率的变化。通过使电流流过MR传感器且测量MR传感器两端的电压，能够检测到MR传感器的电阻率的变化。然后，外部电路系统将电压信息转换成适当的格式并且根据需要操纵该信息以恢复在磁盘上编码的信息。

发明概述

本文所描述和主张的实现方式提供了具有下传感器叠层和上传感器叠层的层叠式双读取器，其中所述下传感器叠层和所述上传感器叠层沿下磁道方向成镜像。

提供该概述是以简化形式引入构思的选择，下面将在详细说明中进一步描述这些构思。该概述不意在鉴定权利要求主题的关键特征或必要特征，也不意在用于限制权利要求主题的范围。这些以及各种其他特征和优点将通过阅读下面的详细说明而更明晰。

附图说明

通过描述了结合附图阅读的各个实现方式的以下发明详述中最佳地理解所描述的技术。

图1示出了图示出在执行器组件的端部实现的实施例的读传感器结构的实施例框图。

图2示出了根据本文所公开的实现方式的层叠式双读取器的实施例框图。

图3示出了根据本文所公开的可选实现方式的层叠式双读取器的局部框图。

图4示出了用于制成根据本文所公开的实现方式的层叠式双读取器的实施例操作。

发明详述

在磁数据存储和取回系统中，磁记录头通常包括读取器部分，读取器部分具有磁阻(MR)传感器，其用于取回存储在磁盘上的磁编码信息。来自磁盘表面的磁通引起MR传感器的一个或多个传感层的磁化矢量的旋转，这依次引起MR传感器的电阻率的变化。传感层通常称为“自由”层，因为传感层的磁化矢量响应于外部磁通而自由旋转。通过使电流流经MR传感器并且测量MR传感器两端的电压，能够检测到MR传感器的电阻率的变化。然后，外部电路系统将电压信号转换成适当的格式并且根据需要操纵该信息以恢复在磁盘上编码的信息。

已经开发出MR传感器，其特征在于三种普通类型：(1)非均质磁阻(AMR)传感器，(2)巨磁阻(GMR)传感器，包括自旋阀传感器和多层GMR传感器，以及(3)隧道巨磁阻(TGMR)传感器。

隧道GMR(TGMR)传感器具有一系列交替的磁性层和非磁性层，类似于GMR传感器，除了传感器的磁性层由足够薄以允许磁性层之间的电子隧道的绝缘膜隔开之外。TGMR传感器的电阻取决于磁性层的磁化的相对取向，对于磁性层的磁化平行的构造展现出最小值且对于磁性层的磁化反向平行的构造展现出最大值。

对于所有类型的MR传感器，响应于来自磁盘的磁通而发生磁化旋转。随着磁盘的记录密度持续增加，磁道的宽度以及磁盘上的位数必须减小。这使得越来越小的MR传感器以及越来越窄的屏蔽件间距(SSS)成为必然。传感器的SSS确定了相对于较低信噪比(SNR)具有较高SSS的SNR。因此，SSS的减小导致PW50的值减小，因此，导致记录系统的SNR的值增加。

层叠式双读取器有望显著提高磁道密度能力求和数据率。在层叠式双读取器中，两个传感器叠层沿下磁道方向堆叠在上屏蔽件和下屏蔽件之间。两个传感器叠层由中屏蔽件沿着下磁道方向隔开。此外，传感器叠层沿交叉磁道方向定位在侧屏蔽件之间。上屏蔽件和中屏蔽件之间的距离以及中屏蔽件与下屏蔽件之间的距离分别确定了上读取器和下读取器中的PW50的值。两个传感器叠层之间的距离还确定了存在不齐量的情况下层叠式双读取器的性能，两个传感器之间的较小距离使得在存在不齐量的情况下有更佳的性能。