[发明专利]半导体器件的制作方法

权利要求书

1.一种半导体器件的制作方法，其特征在于，包括：

提供衬底，所述衬底具有高压器件区、存储器件区以及逻辑器件区；

在所述存储器件区形成浮栅；

在所述浮栅上形成控制栅、在所述存储器件区形成与所述浮栅分立的选择栅，并在所述高压器件区中形成高压栅极；

形成所述选择栅、控制栅以及高压栅极之后，对所述控制栅的源漏两侧进行第一掺杂以形成第一掺杂区，所述第一掺杂区的掺杂类型与存储器件源漏区掺杂类型相反；

在所述衬底上形成掩模，以所述掩模为掺杂掩模，对所述存储器件区的漏端进行轻掺杂漏注入，同时对所述高压器件区的衬底进行掺杂以调节高压器件区的阈值电压和电流；

对所述存储器件区中控制栅的源漏两侧进行第二掺杂；

在所述第二掺杂之后，在所述逻辑器件区中形成逻辑栅极，在形成逻辑栅极之后，对所述逻辑栅极进行热处理；

在形成所述逻辑栅极之后，分别在所述高压器件区、存储器件区以及逻辑器件区的衬底中形成源漏区。

2.如权利要求1所述的制作方法，其特征在于，在提供衬底的步骤之后，形成浮栅的步骤之前，还包括：在高压器件区的衬底中形成阱区。

3.如权利要求1所述的制作方法，其特征在于，在提供衬底的步骤之后，在所述衬底上形成浮栅的步骤之前，还包括：形成分别对应于所述浮栅、选择栅以及高压栅极的氧化层。

4.如权利要求1所述的制作方法，其特征在于，进行第一掺杂的步骤包括：采用一种或者两种掺杂离子进行所述第一掺杂。

5.如权利要求4所述的制作方法，其特征在于，进行第一掺杂的步骤包括：分别采用砷离子、磷离子进行所述第一掺杂以形成第一掺杂区。

6.如权利要求5所述的制作方法，其特征在于，先采用砷离子进行掺杂以形成一浅掺杂区，然后采用磷离子对所述浅掺杂区进行原位掺杂以形成深掺杂区，所述浅掺杂区以及深掺杂区共同形成所述第一掺杂区。

7.如权利要求5所述的制作方法，其特征在于，第一掺杂的步骤包括，使所述砷离子的掺杂能量在10～20KeV的范围内；使所述磷离子的掺杂能量在40～50KeV的范围内。

8.如权利要求1所述的制作方法，其特征在于，对存储器件区进行轻掺杂漏注入，同时对高压器件区的衬底进行掺杂的步骤包括：

采用硼离子进行所述轻掺杂漏注入，并对高压器件区的衬底进行掺杂。

9.如权利要求1所述的制作方法，其特征在于，进行第一掺杂的步骤之后，形成掩模的步骤之前，还包括：分别在所述浮栅与控制栅、选择栅以及高压栅极的侧壁形成第一侧墙；

在形成逻辑栅极的步骤之后，在高压器件区、储器件区以及逻辑器件区的衬底中形成源漏区的步骤之前，还包括：

在所述逻辑栅极的侧壁以及所述第一侧墙上形成第二侧墙；

在所述第二侧墙上形成第三侧墙。

10.如权利要求9所述的制作方法，其特征在于，第一侧墙的厚度在500～600埃的范围内。

11.如权利要求9所述的制作方法，其特征在于，形成第二侧墙的步骤包括：形成叠层结构的第二侧墙。

12.如权利要求11所述的制作方法，其特征在于，形成叠层结构的第二侧墙的步骤包括：依次形成氧化物层以及氮化物层，所述氧化物层以及氮化物层共同形成所述第二侧墙。

13.如权利要求12所述的制作方法，其特征在于，所述第二侧墙的厚度在500～600埃的范围内。

14.如权利要求9所述的制作方法，其特征在于，第三侧墙的材料为高温氧化层材料。

15.如权利要求9所述的制作方法，其特征在于，第三侧墙的厚度在350～400埃的范围内。