[发明专利]半导体器件的制作方法

说明书

本发明提供一种半导体器件的制作方法，包括提供衬底；形成浮栅、选择栅以及控制栅；形成高压栅极；对控制栅的源漏两侧进行第一掺杂以形成第一掺杂区，第一掺杂区的掺杂类型与存储器件源漏区掺杂类型相反；在衬底上形成掩模，对存储器件区的漏端进行轻掺杂漏注入，同时对高压器件区的衬底进行掺杂以调节高压器件区的阈值电压和电流；对存储器件区中控制栅的源漏两侧的第一掺杂区进行第二掺杂；形成逻辑栅极；分别在高压器件区、存储器件区以及逻辑器件区的衬底中形成源漏区。本发明的有益效果在于，将存储器件区的漏端的轻掺杂漏注入以及对高压器件区的衬底进行的掺杂合并在一个步骤进行，不仅节约了一层掩模，还简化了工艺。

技术领域

本发明涉及半导体制造领域，具体涉及一种半导体器件的制作方法。

背景技术

近年来闪速存储器(flash memory，简称闪存)的发展尤为迅速。flash的主要特点是在不加电的情况下能长期保持存储的信息，且具有集成度高、存取速度快、易于擦除和重写等优点，因而在微机、自动化控制等多项领域得到了广泛的应用。

flash的标准物理结构称为存储单元(bit)。存储单元的结构与常规MOS晶体管不同。常规的MOS晶体管的栅极(gate)和导电沟道间由栅极绝缘层隔开，一般为氧化层(oxide)；而flash在控制栅(CG：control gate，相当于常规的MOS晶体管的栅极)与导电沟道间还多了一层物质，称之为浮栅(FG：floating gate)。由于浮栅的存在，flash可以完成三种基本操作模式：即读、写、擦除。即便在没有电源供给的情况下，浮栅的存在可以保持存储数据的完整性。

但是，现有的形成flash的工艺繁杂，需要较多的工艺步骤，不仅制作成本难以降低，且整个制作效率也受到影响。

为此，如何简化形成flash器件的工艺流程，成为本领域技术人员亟待解决的技术问题。

发明内容

本发明解决的问题是通过提供一种半导体器件的制作方法，以简化形成的flash器件的工艺流程。

为解决上述问题，本发明提供一种半导体器件的制作方法，包括：

提供衬底，所述衬底具有高压器件区、存储器件区以及逻辑器件区；

在所述存储器件区形成浮栅；

在所述浮栅上形成控制栅、在所述存储器件区形成与所述浮栅分立的选择栅，并在所述高压器件区中形成高压栅极；

形成所述选择栅、控制栅以及高压栅极之后，对所述控制栅的源漏两侧进行第一掺杂以形成第一掺杂区，所述第一掺杂区的掺杂类型与存储器件源漏区掺杂类型相反；

在所述衬底上形成掩模，以所述掩模为掺杂掩模，对所述存储器件区的漏端进行轻掺杂漏注入，同时对所述高压器件区的衬底进行掺杂以调节高压器件区的阈值电压和电流；

对所述存储器件区中控制栅的源漏两侧进行第二掺杂；

在所述第二掺杂之后，在所述逻辑器件区中形成逻辑栅极，在形成逻辑栅极之后，对所述逻辑栅极进行热处理；

在形成所述逻辑栅极之后，分别在所述高压器件区、存储器件区以及逻辑器件区的衬底中形成源漏区。

可选的，在提供衬底的步骤之后，形成浮栅的步骤之前，还包括：在于高压器件区的衬底中形成阱区。

可选的，在提供衬底的步骤之后，在所述衬底上形成浮栅的步骤之前，还包括：形成分别对应于所述浮栅、选择栅以及高压栅极的氧化层。

可选的，进行第一掺杂的步骤包括：

采用一种或者两种掺杂离子进行所述第一掺杂。

可选的，进行第一掺杂的步骤包括：分别采用砷离子、磷离子进行所述第一掺杂以形成第一掺杂区。