[发明专利]适合高压浮地的开漏电路

权利要求书

1.一种适合高压浮地的开漏电路，其特征在于，包括：

第一开漏MOS管，其栅极接收输入的栅极控制信号，其漏极作为所述开漏电路的输出端，其源极连接至浮地，所述浮地的电位独立于地电位；

第一齐纳二极管，其阴极连接所述第一开漏MOS管的栅极，其阳极连接所述第一开漏MOS管的源极；

第二齐纳二极管，其阴极连接所述第一开漏MOS管的漏极，其阳极连接所述第一开漏MOS管的源极。

2.根据权利要求1所述的开漏电路，其特征在于，还包括：与所述第一开漏MOS管的栅极串联的限流电阻，所述栅极控制信号经由所述限流电阻传输至所述第一开漏MOS管的栅极。

3.根据权利要求1所述的开漏电路，其特征在于，还包括：电平移位电路，对输入的控制信号进行电平移位，将其转换成所述第一开漏MOS管的栅极控制信号。

4.根据权利要求3所述的开漏电路，其特征在于，所述电平移位电路包括：

MOS管，其漏极经由上拉电阻连接至电源，其栅极接收所述控制信号，其源极接地，该MOS管的漏极输出所述栅极控制信号。

5.根据权利要求3所述的开漏电路，其特征在于，所述电平移位电路包括：

电流源；

MOS管，其漏极连接所述电流源的输出端，其栅极接收所述控制信号，其源极接地，该MOS管的漏极输出所述栅极控制信号。

6.根据权利要求1所述的开漏电路，其特征在于，所述第一开漏MOS管的漏极经由上拉电阻连接至电源。

7.根据权利要求1所述的开漏电路，其特征在于，还包括：

第二开漏MOS管，其漏极作为所述开漏电路的逻辑互补输出端，其源极连接至所述浮地，其栅极连接所述第一开漏MOS管的漏极；

第三齐纳二极管，其阴极连接所述第二开漏MOS管的漏极，其阳极连接所述第二开漏MOS管的源极。

8.根据权利要求7所述的开漏电路，其特征在于，所述第一开漏MOS管的漏极和第二开漏MOS管的漏极分别经由上拉电阻连接至电源。

9.根据权利要求1所述的开漏电路，其特征在于，还包括：两个或更多个级联的开漏结构，所述开漏结构包括开漏MOS管和齐纳二极管，其中，

第一级开漏结构中，开漏MOS管的漏极作为第一级开漏结构的输出端，开漏MOS管的源极连接至所述浮地，开漏MOS管的栅极连接所述第一开漏MOS管的漏极，齐纳二极管的阴极连接开漏MOS管的漏极，齐纳二极管的阳极连接所述开漏MOS管的源极；

后一级开漏结构中，开漏MOS管的漏极作为本级开漏结构的输出端，开漏MOS管的源极连接至所述浮地，开漏MOS管的栅极连接前一级开漏结构的输出端，齐纳二极管的阴极连接开漏MOS管的漏极，齐纳二极管的阳极连接所述开漏MOS管的源极。

10.根据权利要求9所述的开漏电路，其特征在于，所述两个或更多个级联的开漏结构中的开漏MOS管的漏极分别经由上拉电阻连接至电源。

11.根据权利要求1至10中任一项所述的开漏电路，其特征在于，还包括：

限流MOS管，其栅极接收输入的限流控制信号，其漏极连接至浮地，其源极接地；

负载，其第一端连接所述限流MOS管的漏极，其第二端连接所述限流MOS管的源极。