[发明专利]一种低功耗低面积无竞争1位全加器标准单元

权利要求书

1.一种低功耗低面积无竞争1位全加器标准单元，具有第一输入端、第二输入端、第三输入端、进位输出端和和位输出端，其特征在于：所述全加器标准单元包括异或电路、求和电路、进位输出电路、第四反相器以及第五反相器，所述异或电路产生和位与进位输出所需的异或信号，其输入端连接所述第一输入端与第二输入端，输出端连接所述第四反相器的输入端，以控制所述求和电路以及所述进位输出电路来产生和位输出和进位输出；所述进位输出电路连接所述异或电路、所述第四反相器输出端及所述第一输入端、第二输入端，采用传输管与镜像电路耦合输出进位结果；所述求和电路连接所述异或电路、所述第四反相器、所述进位输出电路以及所述第三输入端，用于输出和位相关信号，所述第五反相器输入端连接所述进位输出电路，输出端为所述进位输出端。

2.如权利要求1所述的一种低功耗低面积无竞争1位全加器标准单元，其特征在于：所述的异或电路包括第一PMOS管、第一传输门、第一NMOS管、第二NMOS管，所述第一PMOS管的源极与所述第一输入端通过第一反相器连接，其栅极与所述第二输入端通过第二反相器连接，所述第一PMOS管的漏极与所述第四反相器输入信号连接，所述第一传输门的第一控制端通过所述第一反相器与所述第一输入端连接，并与所述第一PMOS管源极连接，第二控制端与所述第一输入端连接，所述第一传输门的输入端通过所述第二反相器与所述第二输入端连接，所述第一NMOS管的漏极与所述第一传输门输出端以及所述第一PMOS管漏端耦合在一起与所述第四反相器输入信号连接，所述第一NMOS管的栅极与所述第一输入端通过所述第一反相器连接，所述第一NMOS管的源极与所述第二NMOS管的漏极连接在一起，所述第二NMOS管的源极与地连接在一起，栅极与所述第二输入端通过所述第二反相器连接。

3.如权利要求2所述的一种低功耗低面积无竞争1位全加器标准单元，其特征在于：所述进位输出电路包括第二传输门和镜像电路，第二传输门的输入端与所述进位输出端通过所述第五反相器连接，其第一控制端与所述第四反相器输出连接，第二控制端与所述第四反相器输入端连接；所述的镜像电路由上拉电路和下拉电路组成，所述上拉电路由第三PMOS管和第四PMOS管组成，所述下拉电路由第四NMOS管和第五NMOS管组成，所述第三PMOS管的源极与电源连接，漏极与所述第四PMOS管源极连接，其栅极与所述第五NMOS管的栅极以及所述第二输入端相连接，所述第四PMOS管的漏极与所述第四NMOS管漏极连接作为所述镜像电路的输出与所述第二传输门输出耦合在一起并通过所述第五反相器与所述进位输出端连接，其栅极与所述第四NMOS管的栅极以及所述第一输入端连接，所述第四NMOS管的源极与所述第五NMOS管漏极连接，所述第五NMOS管的源极与地连接。

4.如权利要求3所述的一种低功耗低面积无竞争1位全加器标准单元，其特征在于：所述求和电路包括第三传输门、第五PMOS管与第六NMOS管，所述第三传输门的输入端与所述第二传输门的输出端以及所述第五PMOS管、所述第六NMOS管的栅极连接，并与所述第三输入端通过所述第三反相器连接，所述第三传输门的第一控制端与第二控制端分别与所述第二传输门的第一控制端第二控制端连接，所述第三传输门的输出端与所述第五PMOS管的漏极以及所述第六NMOS管的漏极耦合在一起与所述和位输出端连接；所述第五PMOS的源极与所述第三传输门的第一控制端连接，所述第六NMOS管的源极与所述第三传输门的第二控制端连接。

5.如权利要求4所述的一种低功耗低面积无竞争1位全加器标准单元，其特征在于：所述第一传输门、第二传输门、第三传输门分别由源漏相连的一PMOS管和一NMOS管组成。

6.如权利要求4所述的一种低功耗低面积无竞争1位全加器标准单元，其特征在于：所述第一反相器由第八PMOS管和第九NMOS管组成，该第八PMOS管源极与电源连接，漏极接所述第九NMOS管漏极，所述第九NMOS管源极接地，所述第八PMOS管和所述第九NMOS管的栅极相连与所述第一输入端连接。

7.如权利要求4所述的一种低功耗低面积无竞争1位全加器标准单元，其特征在于：所述第二反相器由第九PMOS管和第十NMOS管组成，所述第九PMOS管源极与电源连接，漏极接所述第十NMOS管漏极，所述第十NMOS管源极接地，所述第九PMOS管和所述第十NMOS管的栅极相连与所述第二输入端连接。