[发明专利]半导体结构的形成方法

权利要求书

1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：

提供基底，在所述基底内形成有通孔；

形成覆盖于所述基底表面、通孔底部和侧壁表面的金属层；

在所述金属层表面形成苯并环丁烯层；

在所述苯并环丁烯层表面形成光刻胶膜，所述光刻胶膜封闭所述通孔；

对所述光刻胶膜进行烘烤处理；

图形化所述光刻胶膜形成光刻胶层，所述光刻胶层位于通孔上方；

图形化所述苯并环丁烯层，暴露出金属层表面；

以所述光刻胶层为掩膜，刻蚀所述暴露的金属层直至暴露出基底表面，剩余的金属层为再分布层；

去除所述光刻胶层以及苯并环丁烯层。

2.如权利要求1所述半导体结构的形成方法，其特征在于，所述光刻胶膜封闭所述通孔后，通孔内具有空气。

3.如权利要求2所述半导体结构的形成方法，其特征在于，在所述烘烤处理过程中，通孔内的空气体积膨胀。

4.如权利要求1所述半导体结构的形成方法，其特征在于，所述烘烤处理包括前烘处理以及后烘处理。

5.如权利要求1所述半导体结构的形成方法，其特征在于，采用化学气相沉积工艺形成所述苯并环丁烯层。

6.如权利要求5所述半导体结构的形成方法，其特征在于，所述化学气相沉积工艺的工艺参数为：反应原材料包括二乙烯基硅氧烷—双苯并环丁烯，在100摄氏度至200摄氏度加热环境下使所述反应原材料气化，通过He、Ar或N₂作为载气将气化后的反应原材料引入反应腔室中，反应腔室温度为300摄氏度至400摄氏度，反应腔室压强为2托至5托。

7.如权利要求1所述半导体结构的形成方法，其特征在于，采用旋转涂覆工艺形成所述光刻胶膜。

8.如权利要求1所述半导体结构的形成方法，其特征在于，采用曝光显影处理图形化所述光刻胶膜。

9.如权利要求1所述半导体结构的形成方法，其特征在于，所述金属层的材料为Cu、Al、W或Ag。

10.如权利要求1所述半导体结构的形成方法，其特征在于，采用曝光显影处理，图形化所述苯并环丁烯层。

11.如权利要求10所述半导体结构的形成方法，其特征在于，在同一道工艺步骤中，图形化所述光刻胶膜以及苯并环丁烯层。

12.如权利要求1所述半导体结构的形成方法，其特征在于，采用湿法刻蚀工艺刻蚀去除金属层直至暴露出基底表面。

13.如权利要求12所述半导体结构的形成方法，其特征在于，所述湿法刻蚀工艺对金属层的刻蚀速率大于对苯并环丁烯层的刻蚀速率。

14.如权利要求12所述半导体结构的形成方法，其特征在于，所述湿法刻蚀工艺的刻蚀液体包括硝酸、硫酸、双氧水、氟化铵以及去离子水的混合溶液，其中，硝酸与混合溶液的质量百分比小于10％，硫酸与混合溶液的质量百分比小于5％，双氧水与混合溶液的质量百分比小于8％，氟化铵与混合溶液的质量百分比小于5％。

15.如权利要求1所述半导体结构的形成方法，其特征在于，采用灰化工艺去除所述光刻胶层以及苯并环丁烯层。

16.如权利要求1所述半导体结构的形成方法，其特征在于，在所述基底内形成通孔的工艺步骤包括：提供基底；在所述基底表面形成图形化的掩膜层；以所述图形化的掩膜层为掩膜，刻蚀去除部分厚度的基底，在所述基底内形成通孔；去除图形化的掩膜层。