[发明专利]半导体结构及返工方法

权利要求书

1.一种返工方法，其特征在于，包括：

提供基底，所述基底上形成有含硅的有机底部抗反射涂层；

在所述含硅的有机底部抗反射涂层上形成保护层，且所述保护层材料为无机透明的材料，所述保护层的厚度为30～200埃；

在所述保护层上形成第一光刻胶层，所述第一光刻胶层中存在缺陷；

去除所述存在缺陷的第一光刻胶层，暴露出保护层的表面。

2.如权利要求1所述的返工方法，其特征在于，所述无机透明的材料为氧化硅或氮化硅。

3.如权利要求2所述的返工方法，其特征在于，形成所述保护层采用原子层沉积工艺。

4.如权利要求1所述的返工方法，其特征在于，所述第一光刻胶层中形成有第一光刻图形，第一光刻胶层中的缺陷为第一光刻胶层的厚度缺陷、厚度均匀性缺陷、第一光刻图形的尺寸和位置缺陷、第一光刻图形的形貌缺陷。

5.如权利要求1所述的返工方法，其特征在于，在去除所述存在缺陷的第一光刻胶层后，重新在所述保护层表面形成第二光刻胶层。

6.如权利要求5所述的返工方法，其特征在于，在形成所述含硅的有机底部抗反射涂层之前，还包括：在所述基底上形成若干栅极层；形成覆盖所述若干栅极层和基底的有机填充层。

7.如权利要求6所述的返工方法，其特征在于，在所述有机填充层上形成含硅的有机底部抗反射涂层。

8.如权利要求7所述的返工方法，其特征在于，在所述第二光刻胶层中形成第二光刻图形；以所述第二光刻胶层为掩膜刻蚀所述保护层、含硅的抗反射涂层、有机填充层，在所述保护层、含硅的抗反射涂层、有机填充层中形成暴露出栅极层顶部表面的凹槽。

9.如权利要求1所述的返工方法，其特征在于，去除所述存在缺陷的第一光刻胶层采用等离子刻蚀工艺。

10.如权利要求9所述的返工方法，其特征在于，等离子刻蚀工艺采用的气体为O₂、H₂、N₂，O₂的流量为500～5000sccm，H₂的流量为500～5000sccm，N₂的流量为500～5000sccm，偏置电压为0～500V，源功率为0.1kw～20kw，腔室压力为0.1mtorr～1torr，温度为25～200摄氏度。

11.如权利要求1所述的返工方法，其特征在于，形成所述含硅的有机底部抗反射涂层采用旋涂工艺。

12.一种半导体结构，其特征在于，包括：

提供基底，所述基底上形成有含硅的有机底部抗反射涂层；

位于所述含硅的有机底部抗反射涂层上的保护层，且所述保护层材料为无机透明的材料，所述保护层的厚度为30～200埃；

位于所述保护层上的光刻胶层。

13.如权利要求12所述的半导体结构，其特征在于，所述无机透明的材料为氧化硅或氮化硅。

14.如权利要求12所述的半导体结构，其特征在于，所述含硅的有机底部抗反射涂层的厚度为200～600埃。

15.如权利要求12所述的半导体结构，其特征在于，位于基底上的若干栅极层；覆盖所述基底和若干栅极层的有机填充层。

16.如权利要求15所述的半导体结构，其特征在于，所述含硅的有机底部抗反射涂层位于有机填充层表面上。