[发明专利]半导体结构及返工方法

说明书

一种半导体结构及返工方法，其中所述返工方法，包括：提供基底，所述基底上形成有含硅的有机底部抗反射涂层；在所述含硅的有机底部抗反射涂层上形成保护层；在所述保护层上形成第一光刻胶层，所述第一光刻胶层中存在缺陷；去除存在缺陷的第一光刻胶层，暴露出保护层的表面。保护层的存在，在去除存在缺陷的第一光刻胶层的过程中，可以防止外部的氧元素与含硅的有机底部抗反射涂层中硅元素形成氧化硅的结晶物或者产生其他的缺陷，因而，本发明在将存在缺陷的第一光刻胶层去除之后，含硅的有机底部抗反射涂层保存完好，无需额外的物理或化学步骤去除第一光刻胶层底部的含硅的有机底部抗反射涂层，从而节省了返工过程的工艺步骤，节约了制作成本。

技术领域

本发明涉及半导体制作领域，特别涉及一种半导体结构及返工方法。

背景技术

随着集成电路的不断发展，晶体管的最小线宽不断减小，首先要求光刻工艺定义的光刻图形的尺寸和间距也越来越小。为了满足光刻的要求，除了在光刻设备方面不断的升级换代以外，人们还使用其他技术来提高光刻的质量和精度，使用抗反射涂层技术(ARC，Anti-Reflective Coating)就是其中之一。形成抗反射涂层的作用是：防止曝光光线通过光刻胶层后在衬底界面发生反射，因为返回光刻胶的反射光线会与入射的曝光光线发生干涉，导致光刻胶不能均匀的曝光。

抗反射涂层技术的发展经过了顶部抗反射涂层(TARC，Top Anti-ReflectiveCoating)和底部抗反射涂层(BARC，Bottom Anti-Reflective Coating)两个阶段。目前主要使用的为底部抗反射涂层，而底部抗反射涂层又分为有机底部抗反射涂层和无机底部抗反射涂层两者，其中有机底部抗反射涂层具有成本低、折射率重复性好、平面性好等优点，因此在现有技术中得到了广泛的使用。但是有机的底部抗反射涂层由于致密性低(或硬度低)，在进行光刻时，使得形成的光刻图形容易产生变形或存在缺陷，因而刻蚀后形成的刻蚀图形也会产生变形或存在缺陷。

为解决上述问题，现有技术提出了一种含硅的有机底部抗反射涂层(Si-BARC)，含硅的有机底部抗反射涂层是通过在普通的有机抗反射涂层中掺杂硅形成，含硅的有机底部抗反射涂层相比于普通的有机底部抗反射涂层其致密性提高，在光刻的过程中，防止光线反射的同时，使得形成的光刻图形不会变形或存在缺陷。

但是，在实际的生产过程中，当含硅的有机底部抗反射涂层应用在光刻工艺时，若含硅的有机底部抗反射涂层上形成的光刻胶层存在缺陷时，则需要对产品进行返工，以去除存在缺陷的光刻胶层，而现有的返工工艺较为复杂。

发明内容

本发明解决的问题是怎样减少返工的步骤及成本。

为解决上述问题，本发明提供一种返工方法，包括：提供基底，所述基底上形成有含硅的有机底部抗反射涂层；在所述含硅的有机底部抗反射涂层上形成保护层；在所述保护层上形成第一光刻胶层，所述第一光刻胶层中存在缺陷；去除所述存在缺陷的第一光刻胶层，暴露出保护层的表面。

可选的，所述保护层材料为无机透明的材料。

可选的，所述无机透明的材料为氧化硅或氮化硅。

可选的，所述保护层的厚度为30～200埃。

可选的，形成所述保护层采用原子层沉积工艺。

可选的，所述第一光刻胶层中形成有第一光刻图形，第一光刻胶层中的缺陷为第一光刻胶层的厚度缺陷、厚度均匀性缺陷、第一光刻图形的尺寸和位置缺陷、第一光刻图形的形貌缺陷。

可选的，在去除所述存在缺陷的第一光刻胶层后，重新在所述保护层表面形成第二光刻胶层。

可选的，在形成所述含硅的有机底部抗反射涂层之前，还包括：在所述基底上形成若干栅极层；形成覆盖所述若干栅极层和基底的有机填充层。

可选的，在所述有机填充层上形成含硅的有机底部抗反射涂层。