[发明专利]一种将异型中电流离子注入机导入量产的方法在审
| 申请号： | 201410440502.6 | 申请日： | 2014-09-01 |
| 公开（公告）号： | CN104332396A | 公开（公告）日： | 2015-02-04 |
| 发明（设计）人： | 邱裕明;肖天金;余德钦 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/265 | 分类号： | H01L21/265;H01J37/317 |
| 代理公司： | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人： | 吴俊 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 异型 电流 离子 注入 导入 量产 方法 | ||
1.一种将异型中电流离子注入机导入量产的方法，其特征在于，包括如下步骤；
提供第一硅片，在硅片中定义有中心注入区和位于该中心注入区两侧并关于该中心区对称的至少两个注入区；
采用第一离子注入设备对各注入区进行离子注入，并保证位于中心注入区一侧的注入区至位于中心注入区另一侧的注入区的注入剂量逐渐递增，并在注入完成后获取硅片各注入区的电阻值；
提供第二硅片，采用第二离子注入设备对该第二硅片进行离子注入，且注入的剂量与所述第一硅片的中心区的注入剂量相同，获取该硅片的电阻值；
根据第一硅片各注入区的注入剂量和电阻值以及第二硅片的注入剂量和电阻值，求得将第一离子注入设备代替第二离子注入设备进行离子注入时，所选用的最佳注入剂量。
2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一硅片包括中心注入区，以及位于该中心注入区两侧并关于该中心区对称的第一注入区和第二注入区。
3.如权利要求2所述的方法，其特征在于，所述第一注入区背离所述中心注入区另一侧、中心注入区和第二注入区背离所述中心注入区另一侧的注入剂量比值为0.9：1：1.1。
4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，通过对所述第一硅片和第二硅片进行扫描以获取所述第一硅片各注入区和第二硅片的电阻。
5.如权利要求3或4所述的方法，其特征在于，在对第一硅片进行扫描时，根据各所述注入区的注入剂量以及注入位置在所述第一硅片上绘制等高线，并根据该等高线对第一硅片进行扫描。
6.如权利要求3或4所述的方法，其特征在于，对所述第一硅片做49点等高线扫描，以获取所述第一硅片在各所述注入区的电阻值。
7.如权利要求1所述的方法，其特征在于，在对所述第一硅片和第二硅片进行离子注入后，还包括一退火工艺。
8.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一硅片与所述第二硅片均为纯净无掺杂的硅片。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海华力微电子有限公司，未经上海华力微电子有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201410440502.6/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：交流接触器系统
- 下一篇：一种各向异性干法刻蚀VO2的方法
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
