[发明专利]一种将异型中电流离子注入机导入量产的方法

说明书

技术领域

本发明涉及半导体领域，具体涉及一种将异型中电流离子注入机导入量产的方法。

背景技术

在中电流注入机领域，由于扫描方式和扫描硬件系统的差异，不同厂商或不同机台型号间会存在差异，最主要的差异体现在注入角度不一致和剂量失配。

为了能够增强产能调配的灵活性，必须做异型机台间的角度匹配和剂量匹配。在实际匹配过程中，注入角度可以使用U型曲线的方法，校正到0.1度以内的精度。而剂量的匹配则比较复杂，因为针对不同注入源种、能量、剂量，匹配系数不完全一致，所以需要对每一个所需使用的注入条件单独进行剂量匹配。

方块电阻的量测值可以推算异型机台间的匹配系数，然后根据所得的匹配系数在新型机体上设置对应注入条件，继而做产品的电性能参数的验证。在做方块电阻间的匹配时，传统的方法是使用新型离子注入机台来注入匹配系数不同的三枚硅片，也即注入剂量为新型机台设定剂量。例如该三枚硅片的注入剂量分别为X、Y、Z，且X＞Y＞Z，此后对这三枚硅片来进行退火和测方块电阻值。使用旧型离子注入机台注入匹配系数为Y的一枚硅片，利用此硅片注入及退火后的方块电阻值，对应到匹配系数为X、Y、Z的值域区间，从而取得点状离子注入机台应设置的匹配系数。

由于每个需要做匹配的产品条件都需要四枚硅片，大量的匹配工作使硅片的总耗费量动辄达到上百之数，成本高昂。

发明内容

本发明根据现有技术提供了一种将异型中电流离子注入机导入量产的方法，包括如下步骤；

提供第一硅片，在硅片中定义有中心注入区和位于该中心注入区两侧并关于该中心区对称的至少两个注入区；

采用第一离子注入设备对各注入区进行离子注入，并保证位于中心注入区一侧的注入区至位于中心注入区另一侧的注入区的注入剂量逐渐递增，并在注入完成后获取硅片各注入区的电阻值；

提供第二硅片，采用第二离子注入设备对该第二硅片进行离子注入，且注入的剂量与所述第一硅片的中心区的注入剂量相同，获取该硅片的电阻值；

根据第一硅片各注入区的注入剂量和电阻值以及第二硅片的注入剂量和电阻值，求得将第一离子注入设备代替第二离子注入设备进行离子注入时，所选用的最佳注入剂量。

上述的方法，其中，所述第一硅片包括中心注入区，以及位于该中心注入区两侧并关于该中心区对称的第一注入区和第二注入区。

上述的方法，其中，所述第一注入区背离所述中心注入区另一侧、中心注入区和第二注入区背离所述中心注入区另一侧的注入剂量比值为0.9：1：1.1。

上述的方法，其中，通过对所述第一硅片和第二硅片进行扫描以获取所述第一硅片各注入区和第二硅片的电阻。

上述的方法，其中，在对第一硅片进行扫描时，根据各所述注入区的注入剂量及位置在第一硅片上绘制等高线，并根据该等高线对第一硅片进行扫描。

上述的方法，其中，对所述第一硅片做49点等高线扫描，以获取所述第一硅片在各所述注入区的电阻值。

上述的方法，其中，在对所述第一硅片和第二硅片进行离子注入后，还包括一退火工艺。

上述的方法，其中，所述第一硅片与所述第二硅片均为纯净无掺杂的硅片。

本发明可有效节省在对机台进行匹配时硅片的使用量，将传统技术至少使用三片硅片降低到仅使用一片硅片，同时对匹配的最佳参数也不会造成任何影响，进而极大的降低了生产成本，同时能够更快对异型机台进行匹配并利用匹配后的新型中电流离子注入机进行生产，提高了生产效率和经济效益。

附图说明

通过阅读参照以下附图对非限制性实施例所作的详细描述，本发明及其特征、外形和优点将会变得更明显。在全部附图中相同的标记指示相同的部分。并未刻意按照比例绘制附图，重点在于示出本发明的主旨。

图1为本发明将一硅片划分为3个注入区的示意图；

图2为本发明对图1所示的3个注入区分别进行不同剂量的离子注入并进行等高线扫描的示意图；

图3为本发明采用新型中电流离子注入机上和旧型中电流注入机进行离子注入后所得实验数据的对应工程图。

具体实施方式

在下文的描述中，给出了大量具体的细节以便提供对本发明更为彻底的理解。然而，对于本领域技术人员而言显而易见的是，本发明可以无需一个或多个这些细节而得以实施。在其他的例子中，为了避免与本发明发生混淆，对于本领域公知的一些技术特征未进行描述。