[发明专利]记忆元件及其制造方法

权利要求书

1.一种记忆元件，其特征在于其包括：

多个导体柱，电荷储存层位于所述导体柱周围，

所述多个导体柱与多个介电柱，在一第一方向间隔相互交替，在一第二方向相互交替且接触，且自一第三方向嵌入于一堆叠层中，借以将该堆叠层分隔成多个堆叠结构，其中该第一方向与该第二方向不同，且与该第三方向不同，且，

每一介电柱在该第二方向的侧壁与其相邻的该导体柱与电荷储存层结构在该第二方向的侧壁非共平面。

2.根据权利要求1所述的记忆元件，其特征在于其中每一介电柱在该第一方向的宽度大于或等于其相邻的该导体柱与电荷储存层结构在该第一方向的宽度。

3.根据权利要求1所述的记忆元件，其特征在于其中每一导体柱与电荷储存层结构的导体柱与所对应的电荷储存层的接触面积大于或等于该电荷储存层与所对应的该堆叠结构的接触面积。

4.一种记忆元件，其特征在于其包括：

一衬底，具有多个第一区、多个第二区以及多个第三区，其中该些第一区与该些第二区沿着一第一方向相互交替，每一第三区位于所对应的该第一区与该第二区之间；

多个字线，位于该衬底上，其中每一字线沿着该第一方向延伸，且横越该些第一区、该些第二区以及该些第三区；

多个隔离结构，位于相邻两个字线之间的该衬底上，其中每一隔离结构沿着该第一方向延伸，且横越该些第一区、该些第二区以及该些第三区；

多个堆叠结构，位于该些第三区的该衬底上，每一堆叠结构沿着一第二方向延伸，且横越该些字线与该些隔离结构；

多个导体柱与电荷储存层结构，位于该些字线上，每一导体柱与电荷储存层结构沿着一第三方向延伸，

其中该些导体柱与该些第一区中第偶数条字线电性连接,及与该些第二区中第奇数条字线电性连接；

其中每一电荷储存层位于所对应的该导体柱周围,以电性隔离所对应的该堆叠结构与该导体柱，其中该第一方向与该第二方向不同，且与该第三方向不同；以及

多个介电柱，位于该些字线上，每一介电柱沿着该第三方向延伸，其中该些介电柱与该些第一区中第奇数条字线接触，及与该些第二区中第偶数条字线接触。

5.根据权利要求4所述的记忆元件，其特征在于其中每一第一区的该些导体柱与电荷储存层结构与该些介电柱以及相邻的该第二区的该些导体柱与电荷储存层结构与该些介电柱之间的该第三区的该堆叠结构的侧壁的形状包括锯齿状或波浪状。

6.根据权利要求4所述的记忆元件，其特征在于其中每一导体柱与所对应的该电荷储存层的接触面积大于或等于该电荷储存层与所对应的该堆叠结构的接触面积。

7.一种记忆元件的制造方法，其特征在于其包括以下步骤：

在一衬底上形成一堆叠层；以及

在该堆叠层中形成多个导体柱与电荷储存层结构与多个介电柱，电荷储存层位于所述导体柱周围，该些导体柱与电荷储存层结构与该些介电柱在一第一方向相互间隔交替，在一第二方向相互交替且接触,且分别自一第三方向嵌入于该堆叠层中，借以将该堆叠层分隔成沿着该第二方向延伸的多个堆叠结构，其中该第一方向与该第二方向不同，且与该第三方向不同，且每一介电柱在该第二方向的侧壁与其相邻的该导体柱与电荷储存层结构在该第二方向的侧壁非共平面。