[发明专利]一种芯片密封环结构及其制作方法

权利要求书

1.一种芯片密封环结构的制作方法，其特征在于，包括步骤：

1)于芯片周侧形成第一环形介质层，于所述第一环形介质层中刻蚀出第一环形通孔及与该第一环形通孔侧面相连的多个条形通孔；

2)于所述第一环形通孔及多个条形通孔中填充金属材料，并去除所述第一环形介质层表面的金属材料；

3)于所述第一环形介质层及金属材料表面形成第二环形介质层，于所述第二环形介质层中刻蚀出第二环形通孔，所述第二环形通孔的宽度大于所述第一环形通孔的宽度；

4)于所述第二环形通孔中填充金属材料，并去除所述第二环形介质层除表面的金属材料；

5)重复进行步骤1)～步骤4)，最终形成具有金属肋排结构的芯片密封环。

2.根据权利要求1所述的芯片密封环结构的制作方法，其特征在于：步骤1)所述多个条形通孔形成于所述第一环形通孔的内侧，或所述多个条形通孔形成于所述第一环形通孔的外侧。

3.根据权利要求1所述的芯片密封环结构的制作方法，其特征在于：步骤1)所述多个条形通孔形成于所述第一环形通孔的内侧及外侧。

4.根据权利要求1～3任意一项所述的芯片密封环结构的制作方法，其特征在于：所述第二环形通孔的宽度等于所述第一环形通孔与所述条形通孔的总宽度。

5.根据权利要求1所述的芯片密封环结构的制作方法，其特征在于：采用等离子体增强化学气相沉积形成所述第一环形介质层及第二环形介质层，所述第一环形介质层及第二环形介质层的材料为二氧化硅。

6.根据权利要求1所述的芯片密封环结构的制作方法，其特征在于：采用蒸镀或电镀工艺填充所述金属材料，采用CMP抛光工艺去除所述第一环形介质层及第二环形介质层表面的金属材料，所述金属材料为铜。

7.一种芯片密封环结构，其特征在于：包括：

环形介质层，结合于芯片周侧；

金属肋排结构，形成于所述环形介质层中，包括环形金属层、结合于所述环形金属层侧壁的多个第一金属肋条及多个第二金属肋条，其中，所述第一金属肋条与所述第二金属肋条呈预设角度相交，所述多个第一金属肋条及多个第二金属肋条结合于所述环形金属层的内侧壁及外侧壁，并且，位于内侧壁的第一金属肋条与位于外侧壁的第一金属肋条呈错位排列。

8.根据权利要求7所述的芯片密封环结构，其特征在于：所述环形金属层贯穿所述环形介质层的上表面及下表面。

9.根据权利要求7所述的芯片密封环结构，其特征在于：所述第一金属肋条与所述第二金属肋条垂直相交。

10.根据权利要求7所述的芯片密封环结构，其特征在于：所述金属肋排结构的宽度为100nm～10000nm。

11.根据权利要求7所述的芯片密封环结构，其特征在于：环形介质层的材料为二氧化硅，所述金属肋排结构的材料为铜。