[发明专利]半导体器件

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

衬底，具有第一表面以及与所述第一表面相对的第二表面；

基本上矩形的半导体芯片，具有第一主表面、与所述第一主表面相对的第二主表面、以及在所述第一主表面上的第一边，所述半导体芯片安装在所述衬底上使得所述第二主表面面朝所述衬底的所述第一表面，所述半导体芯片包括沿着在所述第一主表面上的所述第一边布置的第一电极焊盘、形成在所述第一主表面上的所述第一电极焊盘之上的绝缘膜，并且所述绝缘膜具有暴露所述第一电极焊盘的第一部分的第一开口；

第一电极，设置在所述半导体芯片外部并沿着所述半导体芯片的所述第一边布置，并且所述第一电极经由第一接线与在所述半导体芯片上的所述第一电极焊盘连接；以及

密封树脂体，将所述衬底、所述半导体芯片、所述第一电极、所述第一电极焊盘和所述第一接线密封，

其中在平面图中所述第一开口的面积比所述第一电极焊盘的面积更小，

其中所述第一电极焊盘最接近所述半导体芯片的所述第一边的一端，

其中所述第一电极焊盘的中心定位为在沿着所述第一边的方向上比所述第一开口的中心更接近所述一端，以及

其中所述第一接线与所述半导体芯片上的所述第一电极焊盘的所述第一部分接合。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，

其中所述半导体芯片进一步包括：

第二电极焊盘，最接近所述第一主表面上的所述第一边的中心部分；以及第二开口，暴露所述绝缘膜中的所述第二电极焊盘的第二部分，以及

其中在所述平面图中在沿着所述半导体芯片的所述第一边的方向上，所述第二电极焊盘的中心与所述第二开口的中心之间的距离小于所述第一电极焊盘的中心与所述第一开口的中心之间的距离。

3.根据权利要求2所述的半导体器件，其中在沿着所述第一边的方向上，所述第一开口的宽度与所述第二开口的宽度相同，并且所述第一电极焊盘的宽度大于所述第二电极焊盘的宽度。

4.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述第一电极焊盘在从所述半导体芯片的所述第一主表面到所述半导体芯片的所述第二主表面的方向上的厚度≥1.2μm。

5.根据权利要求1所述的半导体器件，其中在从所述半导体芯片的所述第一主表面到所述半导体芯片的所述第二主表面的方向上所述绝缘膜的厚度大于所述第一电极焊盘的厚度。

6.根据权利要求1所述的半导体器件，

其中所述第一电极被布置在所述衬底的所述第一表面上。

7.根据权利要求2所述的半导体器件，

其中所述半导体器件还包括：

第二电极，设置在所述半导体芯片外部并且沿着所述半导体芯片的所述第一边布置，

其中所述第二电极经由第二接线与所述半导体芯片上的所述第二电极焊盘连接，以及

其中所述第二接线与所述半导体芯片上的所述第二电极焊盘的所述第二部分接合。