[发明专利]具有保护层的自对准互连件

说明书

集成电路结构包括：第一层层间电介质(ILD)、位于第一ILD中的栅极堆叠件、位于第一ILD上方的第二ILD、位于第二ILD中的接触插塞、以及位于接触插塞的相对两侧上并且与接触插塞相接触的介电保护层。接触插塞和介电保护层位于第二ILD中。介电覆盖层位于接触插塞上方并且与接触插塞相接触。本发明还涉及具有保护层的自对准互连件。

技术领域

本发明涉及集成电路器件，更具体地，涉及具有保护层的自对准互连件。

背景技术

随着集成电路的制造技术的发展，集成电路器件变得越来越小。集成电路通过导电部件(诸如金属线、通孔和接触插塞)互连以形成功能电路。因此，导电部件之间的间距也变得越来越小。

发明内容

为了解决现有技术中的问题，本发明提供了一种集成电路结构，包括：第一层间电介质(ILD)；栅极堆叠件，位于所述第一ILD中；第二ILD，位于所述第一ILD上方；第一接触插塞，位于所述第二ILD中；介电保护层，位于所述第一接触插塞的相对两侧上并且与所述第一接触插塞接触，其中，所述第一接触插塞和所述介电保护层位于所述第二ILD中；以及介电覆盖层，位于所述第一接触插塞上方并且与所述第一接触插塞接触。

在上述集成电路结构中，其中，所述集成电路结构进一步包括：第三ILD，位于所述第二ILD上方；以及第二接触插塞，从所述第三ILD的顶面延伸到所述第二ILD的底面，其中，所述第二接触插塞电连接至所述栅极堆叠件。

在上述集成电路结构中，其中，所述集成电路结构进一步包括：第三ILD，位于所述第二ILD上方；以及第二接触插塞，从所述第三ILD的顶面延伸到所述第二ILD的底面，其中，所述第二接触插塞电连接至所述栅极堆叠件；其中，所述第二接触插塞包括与所述介电保护层的顶部边缘接触的第一底面。

在上述集成电路结构中，其中，所述第一接触插塞包括与所述第一ILD的顶面接触的底面。

在上述集成电路结构中，其中，所述介电保护层和所述介电覆盖层由相同的介电材料形成。

在上述集成电路结构中，其中，所述集成电路结构进一步包括：源极/漏极区；第三接触插塞，位于所述源极/漏极区上方并且电连接至所述源极/漏极区，其中，所述第三接触插塞位于所述第一ILD中；第四接触插塞，位于所述第三接触插塞上方并且接触所述第三接触插塞，其中，所述第四接触插塞位于所述第二ILD中；以及第五接触插塞，位于所述第四接触插塞上方并且与所述第四接触插塞接触，其中，所述第五接触插塞从第三ILD的顶面延伸到所述第二ILD内。

在上述集成电路结构中，其中，所述集成电路结构进一步包括：源极/漏极区；第三接触插塞，位于所述源极/漏极区上方并且电连接至所述源极/漏极区，其中，所述第三接触插塞位于所述第一ILD中；第四接触插塞，位于所述第三接触插塞上方并且接触所述第三接触插塞，其中，所述第四接触插塞位于所述第二ILD中；以及第五接触插塞，位于所述第四接触插塞上方并且与所述第四接触插塞接触，其中，所述第五接触插塞从第三ILD的顶面延伸到所述第二ILD内；其中，所述第五接触插塞的底面与所述第一接触插塞的顶面基本共平面。

在上述集成电路结构中，其中，所述介电覆盖层的顶面与所述第二ILD的顶面基本共平面。

根据本发明的另一个方面，提供了一种集成电路结构，包括：第一层间电介质(ILD)；蚀刻停止层，位于所述第一ILD上方；第二ILD，位于所述蚀刻停止层上方；第一狭槽式接触插塞，位于所述第二ILD中，其中，所述第一狭槽式接触插塞穿透所述蚀刻停止层以接触所述第一ILD的顶面；介电保护层，包括位于所述第一狭槽式接触插塞的相对两侧上并且与所述第一狭槽式接触插塞接触的部分；以及介电覆盖层，位于所述第一狭槽式接触插塞上方并且与所述第一狭槽式接触插塞接触，其中，所述第一狭槽式接触插塞、所述介电保护层和所述介电覆盖层均位于所述第二ILD中。