[发明专利]高深宽比沟槽刻蚀残留缺陷的检测方法有效
| 申请号： | 201410443792.X | 申请日： | 2014-09-02 |
| 公开（公告）号： | CN104217974B | 公开（公告）日： | 2017-01-04 |
| 发明（设计）人： | 范荣伟;龙吟;陈宏璘;倪棋梁;顾晓芳 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)31237 | 代理人： | 王宏婧 |
| 地址： | 201203 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 高深 沟槽 刻蚀 残留 缺陷 检测 方法 | ||
1.一种高深宽比沟槽刻蚀残留缺陷的检测方法，其特征在于，包括：
提供一待检测片，所述待检测片经过了刻蚀工艺并形成了沟槽，在所述沟槽中存在残留缺陷；
对所述待检测片表面加载负电荷，以在所述沟槽中的残留缺陷区域形成局部电场；
采用电子束缺陷扫描仪对所述待检测基底进行缺陷检测。
2.如权利要求1所述的高深宽比沟槽刻蚀残留缺陷的检测方法，其特征在于，采用电子束缺陷扫描仪加载负电荷。
3.如权利要求1所述的高深宽比沟槽刻蚀残留缺陷的检测方法，其特征在于，加载负电荷的着陆能量为1800eV～2500eV，电流为60nA～100nA。
4.如权利要求1所述的高深宽比沟槽刻蚀残留缺陷的检测方法，其特征在于，所述沟槽的深宽比大于等于10比1。
5.如权利要求1所述的高深宽比沟槽刻蚀残留缺陷的检测方法，其特征在于，所述待检测片包括基底和形成于所述基底上的多晶硅层，所述沟槽为多晶硅沟槽，所述残留缺陷区域位于所述沟槽的底部。
6.如权利要求5所述的高深宽比沟槽刻蚀残留缺陷的检测方法，其特征在于，所述残留缺陷为硅残留缺陷。
7.如权利要求1所述的高深宽比沟槽刻蚀残留缺陷的检测方法，其特征在于，所述沟槽为单晶硅沟槽。
8.如权利要求1所述的高深宽比沟槽刻蚀残留缺陷的检测方法，其特征在于，所述沟槽为金属沟槽。
9.如权利要求1所述的高深宽比沟槽刻蚀残留缺陷的检测方法，其特征在于，采用30～80nm的像素尺寸对所述待检测基底进行缺陷检测。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
