[发明专利]阵列基板及其制作方法、显示装置有效
申请号: | 201410443924.9 | 申请日: | 2014-09-02 |
公开(公告)号: | CN104332475B | 公开(公告)日: | 2018-09-21 |
发明(设计)人: | 宋星星;徐朝焕;陈正伟;蔡振飞 | 申请(专利权)人: | 合肥鑫晟光电科技有限公司;京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L21/77;G02F1/13;G02F1/1362 |
代理公司: | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人: | 许静;黄灿 |
地址: | 230011 *** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 阵列 及其 制作方法 显示装置 | ||
本发明提供了一种阵列基板及其制作方法、显示装置,属于显示领域。其中,所述阵列基板,包括有Pad区域,所述阵列基板还包括:设置于基板上的信号线;至少设置于所述Pad区域上、与柔性电路板直接连接的导电连接线,所述导电连接线通过过孔与所述信号线相连接,所述导电连接线包括第一走线和与所述第一走线电连接的第二走线,所述第二走线能够在所述柔性电路板相对所述第一走线发生第一方向的偏移时,使所述导电连接线与所述柔性电路板的接触面积不小于预设阈值,其中,所述第一方向与所述第一走线的走向相垂直。本发明的技术方案能够确保柔性电路板与导电连接线的接触面积,降低柔性电路板偏移造成的影响,有效减少显示不均类不良的发生。
技术领域
本发明涉及显示领域,特别是指一种阵列基板及其制作方法、显示装置。
背景技术
薄膜晶体管液晶显示装置(Thin Film Transistor Liquid Crystal Display,TFT-LCD)是一种主要的平板显示装置。根据驱动液晶的电场方向,TFT-LCD分为垂直电场型和水平电场型。其中,垂直电场型TFT-LCD需要在阵列基板上形成像素电极,在彩膜基板上形成公共电极;然而水平电场型TFT-LCD需要在阵列基板上同时形成像素电极和公共电极。因此,制作水平电场型TFT-LCD的阵列基板时,需要额外增加一次形成公共电极的构图工艺。垂直电场型TFT-LCD包括:扭曲向列(Twist Nematic,TN)型TFT-LCD;水平电场型TFT-LCD包括:边缘电场切换(Fringe Field Switching,FFS)型TFT-LCD,共平面切换(In-PlaneSwitching,IPS)型TFT-LCD。水平电场型TFT-LCD,尤其是FFS型TFT-LCD具有广视角、开口率高等优点,广泛应用于液晶显示器领域。
阵列基板按其功能可分为阵列区域和Pad区域。具体地,阵列区域是阵列基板的工作区域,具有栅线、数据线及公共电极线等信号线、像素电极、公共电极及薄膜晶体管(TFT)等组件,通过这些组件形成驱动液晶的电场。Pad区域即为压接区域,是经切割及研磨工艺之后,将阵列基板的信号线与外部的驱动电路板(例如,柔性电路板(COF))进行连接的区域。Pad区域一般只设有信号线,而不需要像素电极和TFT等组件。Pad区域位于阵列基板的4个边中的其中一个或相邻的两个边上,在Pad区域,通过导电连接线实现驱动电路板与阵列基板的信号线的连接,导电连接线通常采用ITO或IZO等材料形成,其原因为在通过ITO或IZO等材料通过构图工艺形成像素电极或公共电极时,同时构图出导电连接线的图形,以便于简化制造工艺。
如图1所示的Pad区域中,柔性电路板1与导电连接线2直接相连,导电连接线2通过过孔3与信号线4连接,这样柔性电路板1上的显示信号通过导电连接线2的中转,传递到了阵列基板的源漏电极。
柔性电路板与阵列基板绑定时难免会产生纵向或横向的偏移,如图1所示,现有Pad区的导电连接线通常采用纵向(与信号线相垂直)平行直线排布,该设计仅能抵御柔性电路板发生纵向偏移时的影响;但在柔性电路板发生横向偏移时,将会使柔性电路板与导电连接线的接触面积骤减,影响显示信号的传递,会造成大面积的“黑Block”等显示不均类不良,严重时可导致无法正常显示,对显示品质产生重大影响,尤其是对于金属氧化物薄膜晶体管阵列基板来说,该类不良尤为明显。
发明内容
本发明要解决的技术问题是提供一种阵列基板及其制作方法、显示装置,能够确保柔性电路板与导电连接线的接触面积,降低柔性电路板偏移造成的影响,有效减少显示不均类不良的发生。
为解决上述技术问题,本发明的实施例提供技术方案如下:
一方面,提供一种阵列基板,包括有Pad区域,所述阵列基板包括:
设置于基板上的信号线;
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的