[发明专利]具有高开口率的像素结构及电路

权利要求书

1.一种具有高开口率的像素结构，其特征在于，具有一基板(1)；于该基板(1)一侧设于其上的第一栅极(21)与第二栅极(22)；设于第一、第二栅极(21、22)及基板(1)上的栅极绝缘层(3)，该栅极绝缘层(3)完全覆盖第一栅极(21)与基板(1)，而暴露出第二栅极(22)的两端；于第一栅极(21)正上方设于栅极绝缘层(3)上的第一半导体层(41)；于第二栅极(22)正上方设于栅极绝缘层(3)上的第二半导体层(42)；设于第一、第二半导体层(41、42)与栅极绝缘层(3)上的蚀刻阻挡层(5)；设于第一半导体层(41)与蚀刻阻挡层(5)上的第一源/漏极(61)，设于第二半导体层(42)与蚀刻阻挡层(5)上的第二源/漏极(62)，第一源/漏极(61)搭接第一半导体层(41)及第二栅极(22)的一端，第二源/漏极(62)搭接第二半导体层(42)；设于第一、第二源/漏极(61、62)及蚀刻阻挡层(5)上的保护层(7)；于基板(1)另一侧设于保护层(7)上的透明电极(8)，该透明电极(8)搭接第二栅极(22)的另一端；设于保护层(7)与透明电极(8)上的平坦绝缘层(9)；设于平坦绝缘层(9)上的像素电极(10)，该像素电极(10)搭接第二源/漏极(62)并与透明电极(8)重叠；设于平坦绝缘层(9)与像素电极(10)上的像素定义层(11)，该像素定义层(11)对应于像素电极(10)与透明电极(8)的重叠区域开口；

所述第一栅极(21)、第一源/漏极(61)与夹在二者之间的蚀刻阻挡层(5)、第一半导体层(41)与栅极绝缘层(3)构成第一薄膜晶体管(TFT1)；所述第二栅极(22)、第二源/漏极(62)与夹在二者之间的蚀刻阻挡层(5)、第二半导体层(42)与栅极绝缘层(3)构成第二薄膜晶体管(TFT2)；所述透明电极(8)、像素电极(10)与夹在二者之间的平坦绝缘层(9)构成一透明电容(C)。

2.如权利要求1所述的具有高开口率的像素结构，其特征在于，所述透明电容(C)构成该像素结构的有效显示部分。

3.如权利要求1所述的具有高开口率的像素结构，其特征在于，所述透明电极(8)为ITO透明电极或IZO透明电极，所述像素电极(10)为ITO像素电极或IZO像素电极。

4.如权利要求1所述的具有高开口率的像素结构，其特征在于，还具有设于像素定义层(11)上的光阻间隔物(12)。

5.如权利要求1所述的具有高开口率的像素结构，其特征在于，还具有于第一栅极(21)正上方设于保护层(7)与平坦绝缘层(9)之间的第一顶栅极(81)，及于第二栅极(22)正上方设于保护层(7)与平坦绝缘层(9)之间的第二顶栅极(82)。

6.如权利要求5所述的具有高开口率的像素结构，其特征在于，所述第一、第二顶栅极(81、82)与透明电极(8)同时形成。

7.如权利要求1所述的具有高开口率的像素结构，其特征在于，所述第一半导体层(41)为IGZO半导体层，所述第二半导体层(42)为IGZO半导体层。

8.一种如权利要求1-7任一项所述的具有高开口率的像素结构的电路，其特征在于，包括一第一薄膜晶体管(TFT1)、一第二薄膜晶体管(TFT2)、一透明电容(C)、及一发光二极管(D)，构成所述透明电容(C)的两电极均为透明电极；第一薄膜晶体管(TFT1)的栅极连接栅极驱动电压信号(V_gate)，源极连接数据驱动电压信号(V_data)，漏极与第二薄膜晶体管(TFT2)的栅极连接；第二薄膜晶体管(TFT2)的源极连接驱动电压信号(V_dd)，漏极连接有机发光二极管(D)的阳极；有机发光二极管(D)的阴连极接地信号(V_ss)；透明电容(C)的一电极连接第二薄膜晶体管(TFT2)的栅极，另一电极连接第二薄膜晶体管(TFT2)的源极或漏极。

9.如权利要求8所述具有高开口率的像素结构的电路，其特征在于，还包括一不透明电容(C”)，该不透明电容(C”)的一电极连接第二薄膜晶体管(TFT2)的栅极，另一电极连接第二薄膜晶体管(TFT2)的源极或漏极。

10.如权利要求9所述的具有高开口率的像素结构的电路，其特征在于，所述第一薄膜晶体管(TFT1)的源极、漏极可互换，所述第二薄膜晶体管(TFT2)的源极、漏极也可互换。