[发明专利]具有高开口率的像素结构及电路

说明书

技术领域

本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种具有高开口率的像素结构及电路。

背景技术

平面显示器件具有机身薄、省电、无辐射等众多优点，得到了广泛的应用。现有的平面显示器件主要包括液晶显示器件(Liquid Crystal Display，LCD)及有机发光二极管显示器件(Organic Light Emitting Display，OLED)。

有机发光二极管显示器件由于同时具备自发光，不需背光源、对比度高、厚度薄、视角广、反应速度快、可用于挠曲性面板、使用温度范围广、构造及制程较简单等优异特性，被认为是下一代平面显示器的新兴应用技术。

OLED显示器件按照驱动类型可分为无源OLED(PM-OLED)和有源OLED(AM-OLED)。AM-OLED的显示面板属于主动显示类型，需要在阵列基板上制作呈阵列式分布的像素结构。如图1所示，现有的AM-OLED的每一像素结构一般为两个薄膜晶体管(Thin Film Transistor，TFT)之间夹着一个存储电容。具体的，第一薄膜晶体管TFT1’由第一栅极210、第一源/漏极610及夹在两者之间的蚀刻阻挡层500、第一半导体层410与栅极绝缘层300构成；第二薄膜晶体管TFT2’由第二栅极220、第二源/漏极620及夹在两者之间的蚀刻阻挡层500、第二半导体层420与栅极绝缘层300构成；存储电容C’由与第一、第二栅极210、220同时形成的第一金属电极230、与第一、第二源/漏极610、620同时形成的第二金属电极630及夹在两者之间的蚀刻阻挡层500与栅极绝缘层300构成。由于金属材质会遮蔽光，阻碍光透过，因此第一、第二薄膜晶体管TFT1’、TFT2’与存储电容C’必然占用一定的像素面积，造成像素有效显示面积下降，即开口率下降，大大限制了光利用率，特别是对于高分辨率、底部发光的AM-OLED，开口率的下降更为严重，容易造成显示亮度不足，功率消耗过大等问题。

图2为图1的等效电路图，第一薄膜晶体管TFT1’作为信号切换晶体管，第二薄膜晶体管TFT2’作为驱动晶体管。具体的，第一薄膜晶体管TFT1’的栅极连接栅极驱动电压信号V_gate，源极连接数据驱动电压信号V_data，漏极与第二薄膜晶体管TFT2’的栅极连接；第二薄膜晶体管TFT2’的源极连接驱动电压信号V_dd，漏极连接有机发光二级管D的阳极；有机发光二级管D的阴连极接地信号V_ss；存储电容C’的一电极连接第二薄膜晶体管TFT2’的栅极，另一电极连接第二薄膜晶体管TFT2’的源极。

该电路的工作原理是，当栅极驱动电压信号V_gate到来时，第一薄膜晶体管TFT1’导通，数据驱动电压信号V_data输入第二薄膜晶体管TFT2’的栅极，第二薄膜晶体管TFT2’导通，驱动电压信号V_dd经该第二薄膜晶体管TFT2’放大后驱动有机发光二极管D进行显示。而当栅极驱动电压信号V_gate结束后，存储电容C’是维持像素电极电位的主要手段。

发明内容

本发明的目的在于提供一种具有高开口率的像素结构，能够显著增加像素的有效显示面积，提高开口率，提高显示亮度，降低功耗。

本发明的目的还在于提供一种具有高开口率的像素结构的电路，有利于提高开口率，提升显示效果。