[发明专利]一种改善器件双峰效应的方法和半导体器件在审
| 申请号： | 201410444255.7 | 申请日： | 2014-09-02 |
| 公开（公告）号： | CN105448734A | 公开（公告）日： | 2016-03-30 |
| 发明（设计）人： | 郝龙;金炎;李伟 | 申请（专利权）人： | 无锡华润上华半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 汪洋;高伟 |
| 地址： | 214028 江苏省无*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 改善 器件 双峰 效应 方法 半导体器件 | ||
【权利要求书】：
1.一种改善器件双峰效应的方法，其特征在于，将所述器件有源区的位于所述器件栅极多晶硅下方的区域沿着所述栅极多晶硅的长度方向拉宽，使所述有源区的边缘远离所述器件的导电沟道。
2.根据权利要求1所述的改善器件双峰效应的方法，其特征在于，所述将所述器件有源区的位于所述器件栅极多晶硅下方的区域沿着所述栅极多晶硅的长度方向拉宽，具体为：
利用有源区掩膜版，定义所述器件有源区，使所述器件有源区的位于所述器件栅极多晶硅下方的区域向两侧沿着所述栅极多晶硅的长度方向各拉宽0.1微米～0.4微米。
3.根据权利要求1所述的改善器件双峰效应的方法，其特征在于，所述将所述器件有源区的位于所述器件栅极多晶硅下方的区域沿着所述栅极多晶硅的长度方向拉宽后，还包括：
将所述器件有源区的所述沿着所述栅极多晶硅的长度方向拉宽的部分向两侧沿着所述栅极多晶硅的宽度方向各拉宽0微米～0.4微米。
4.一种半导体器件，其特征在于，所述半导体器件包括有源区和部分覆盖所述有源区的栅极区，位于所述栅极区下方的有源区的宽度大于其余有源区的宽度。
5.根据权利要求4所述的半导体器件，其特征在于，位于所述栅极区下方的有源区的宽度比所述其余有源区的宽度宽0.1微米～0.4微米。
6.根据权利要求4所述的半导体器件，其特征在于，所述栅极区为栅极多晶硅。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
