[发明专利]一种低温多晶硅薄膜的制备机构及方法

权利要求书

1.一种低温多晶硅薄膜的制备机构，其特征在于，所述制备机构包括：

一基板清洗槽，用于对玻璃基板进行清洗；

一臭氧气体生成装置，用于生成臭氧气体；

一气体传输管，包括输入端和输出端，所述输入端与所述臭氧气体生成装置相连，所述输出端与所述基板清洗槽相连，并连接至所述基板清洗槽内的玻璃基板的上方；

其中，当玻璃基板在所述基板清洗槽进行清洗后，所述气体传输管用于将所述臭氧气体生成装置生成的臭氧气体向所述基板清洗槽内传输，以在清洗后的玻璃基板表面吹出臭氧气体；

一激光退火处理装置，用于对玻璃基板进行激光退火处理，以在玻璃基板的表面形成低温多晶硅薄膜。

2.根据权利要求1所述的低温多晶硅薄膜的制备机构，其特征在于，所述气体传输管的输出端设置有风刀，所述风刀包括风刀进气口和风刀出气口，所述风刀出气口与所述玻璃基板平行设置，以在玻璃基板表面均匀吹出臭氧气体。

3.根据权利要求2所述的低温多晶硅薄膜的制备机构，其特征在于，所述风刀出气口的宽度大于所述玻璃基板的宽度。

4.根据权利要求2所述的低温多晶硅薄膜的制备机构，其特征在于，所述风刀出气口为两个以上出气孔均匀设置。

5.根据权利要求4所述的低温多晶硅薄膜的制备机构，其特征在于，两个所述出气孔之间的间隙为0.3mm至0.8mm。

6.根据权利要求1所述的低温多晶硅薄膜的制备机构，其特征在于，所述基板清洗槽中设置有用于传送玻璃基板的传送装置。

7.一种低温多晶硅薄膜的制备方法，其特征在于，包括：

在玻璃基板进行激光退火处理前，使用清洗液对所述玻璃基板进行清洗；

在清洗后的玻璃基板的表面，均匀吹臭氧气体，以除去所述玻璃基板的表面的残留液体，并在所述清洗后的玻璃基板的表面形成氧化膜；以及

对形成氧化膜的玻璃基板进行激光退火处理，在激光退火处理的玻璃基板的表面形成低温多晶硅薄膜。

8.根据权利要求7所述的低温多晶硅薄膜的制备方法，其特征在于，所述在清洗后的玻璃基板的表面，均匀吹臭氧气体的步骤，包括：

对清洗后的玻璃基板进行水平移动，并在移动的同时利用风刀在清洗后的玻璃基板的表面，均匀吹臭氧气体。

9.根据权利要求7所述的低温多晶硅薄膜的制备方法，其特征在于，所述清洗液为氢氟酸HF。