[发明专利]一种低温多晶硅薄膜的制备机构及方法

说明书

【技术领域】

本发明涉及液晶显示面板制造技术领域，特别涉及一种低温多晶硅薄膜的制备机构及方法。

【背景技术】

在液晶显示面板制造行业中，低温多晶硅技术(LTPS，Low Temperature Poly-silicon)由于拥有更好的电子迁移率，逐步成为液晶显示面板技术革新的方向。

低温多晶硅技术的制程中，在激光退火处理之前，玻璃基板上是非晶硅，其需要经过清洗剂(如氢氟酸HF)进行清洗，将玻璃基板表面的硅膜洗干净，其中氢氟酸用于将玻璃基板上的毛刺洗掉，玻璃基板经过氢氟酸清洗剂清洗完后，使用清洁干燥的空气(CDA，Clean Dry Air)将玻璃基板上的药液吹掉，并且在在氢氟酸清洗后玻璃基板表层会形成一层氧化膜，最后进行激光退火炉处理，在玻璃基板上形成多晶硅，即形成低温多晶硅薄膜。

可是在实践中，发明人发现现有的低温多晶硅的制程中，由于氧化膜不均匀或者激光退火过程中形成了较大的突起物，从而导致制备出来的低温多晶硅薄膜表面粗糙度高，结晶效果不佳。

【发明内容】

本发明的目的在于提供一种低温多晶硅薄膜的制备机构及方法，旨在降低制备出来的低温多晶硅薄膜的表面粗糙度，改善结晶效果。

为解决上述问题，本发明实施例的技术方案如下：

一种低温多晶硅薄膜的制备机构，其种所述制备机构包括：

一基板清洗槽，用于对玻璃基板进行清洗；

一臭氧气体生成装置，用于生成臭氧气体；

一气体传输管，包括输入端和输出端，所述输入端与所述臭氧气体生成装置相连，所述输出端与所述基板清洗槽相连，并连接至所述基板清洗槽内的玻璃基板的上方；

其中，当玻璃基板在所述基板清洗槽进行清洗后，所述气体传输管用于将所述臭氧气体生成装置生成的臭氧气体向所述基板清洗槽内传输，以在清洗后的玻璃基板表面吹出臭氧气体；

一激光退火处理装置，用于对玻璃基板进行激光退火处理，以在玻璃基板的表面形成低温多晶硅薄膜。

在上述低温多晶硅薄膜的制备机构中，所述气体传输管的输出端设置有风刀，所述风刀包括风刀进气口和风刀出气口，所述风刀出气口与所述玻璃基板平行设置，以在玻璃基板表面均匀吹出臭氧气体。

在上述低温多晶硅薄膜的制备机构中，所述风刀出气口的宽度大于所述玻璃基板的宽度。

在上述低温多晶硅薄膜的制备机构中，所述风刀出气口为两个以上出气孔均匀设置。

在上述低温多晶硅薄膜的制备机构中，两个所述出气孔之间的间隙为0.3mm至0.8mm。

在上述低温多晶硅薄膜的制备机构中，所述基板清洗槽中设置有用于传送玻璃基板的传送装置。

为解决上述问题，本发明实施例还提供技术方案如下：

一种低温多晶硅薄膜的制备方法，其特征在于，包括：

在玻璃基板进行激光退火处理前，使用清洗液对所述玻璃基板进行清洗；

在清洗后的玻璃基板的表面，均匀吹臭氧气体，以除去所述玻璃基板的表面的残留液体，并在所述清洗后的玻璃基板的表面形成氧化膜；以及

对形成氧化膜的玻璃基板进行激光退火处理，在激光退火处理的玻璃基板的表面形成低温多晶硅薄膜。

在上述低温多晶硅薄膜的制备方法中，所述在清洗后的玻璃基板的表面，均匀吹臭氧气体的步骤，包括：对清洗后的玻璃基板进行水平移动，并在移动的同时利用风刀在清洗后的玻璃基板的表面，均匀吹臭氧气体。

在上述低温多晶硅薄膜的制备方法中，所述清洗液为氢氟酸HF。

相对现有技术，本发明提供的低温多晶硅薄膜的制备机构及方法，其中，制备机构中的基板清洗槽通过气体传输管直接与臭氧气体生成装置连接，不仅可以将清洗后的玻璃基板表面的残留药液吹掉，还可以让清洗后的玻璃基板直接接触臭氧气体，使得玻璃基板表面的硅膜更加平滑无杂质，经过氢氟酸后第一时间接触臭氧气体使表面形成的氧化膜更加均匀，从而使激光退火处理得到的低温多晶硅薄膜的结晶效果更加优异；并且，所述制备机构设计简单，大大的节省了制备成本。

【附图说明】

下面结合附图，通过对本发明的具体实施方式详细描述，将使本发明的技术方案及其它有益效果显而易见。

图1为本发明提供的低温多晶硅薄膜的制备机构的示意图；

图2为本发明提供的低温多晶硅薄膜的制备机构的另一示意图；

图3为本发明提供的低温多晶硅薄膜的制备机构的另一示意图；

图4为本发明提供的低温多晶硅薄膜的制备方法的流程示意图。

【具体实施方式】