[发明专利]半导体装置的制造方法以及半导体集成电路晶片

权利要求书

1.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，

在多个芯片区域形成将半导体基板在厚度方向上贯通并到达集成电路的贯通孔，该多个芯片区域在上述半导体基板的一面侧形成有上述集成电路，

在切割线形成第1标记开口部、和将上述半导体基板在厚度方向上贯通并配置于上述第1标记开口部的周边区域的第2标记开口部，该切割线在上述半导体基板中将上述芯片区域划分，

基于上述第2标记开口部的位置，检测上述第1标记开口部，

基于上述第1标记开口部的位置，进行曝光位置的对位并进行光刻，从而在上述半导体基板的背面形成抗蚀剂图案，该抗蚀剂图案具有在上述半导体基板的背面使包含上述贯通孔在内的区域露出的第1开口部，

在上述贯通孔埋入导电性材料，以及

去除上述抗蚀剂图案。

2.如权利要求1所记载的半导体装置的制造方法，其特征在于，

在形成上述贯通孔、上述第1标记开口部以及上述第2标记开口部之前，上述半导体基板在一面侧粘贴支撑基板并且从上述背面侧进行薄化。

3.如权利要求1所记载的半导体装置的制造方法，其特征在于，

在上述一面侧的上述切割线内形成TEG，

在上述抗蚀剂图案形成第2开口部，该第2开口部在上述半导体基板的背面使包含上述第2标记开口部在内的区域露出，

在上述第2标记开口部以及上述第2开口部埋入导电性材料，以便与上述TEG连接。

4.如权利要求3所记载的半导体装置的制造方法，其特征在于，

沿着上述切割线将上述半导体基板切断而将上述芯片区域单片化，并且去除在上述第2标记开口部以及上述第2开口部埋入的导电性材料。

5.如权利要求1所记载的半导体装置的制造方法，其特征在于，

上述半导体基板的面方向上的第2标记开口部的大小比上述第1标记开口部的大小小。

6.如权利要求1所记载的半导体装置的制造方法，其特征在于，

上述第2标记开口部，在上述半导体基板的面方向上的形状以及大小中的至少一方与上述第1标记开口部不同。

7.如权利要求1所记载的半导体装置的制造方法，其特征在于，

上述第2标记开口部以规定的形成间隔形成多个。

8.如权利要求1所记载的半导体装置的制造方法，其特征在于，

上述第2标记开口部在上述切割线中形成于夹着上述第1标记开口部而对置的2个区域。

9.如权利要求8所记载的半导体装置的制造方法，其特征在于，

上述第2标记开口部在夹着上述第1标记开口部而对置的2个区域分别形成多个。

10.如权利要求8所记载的半导体装置的制造方法，其特征在于，

上述第2标记开口部在夹着上述第1标记开口部而对置的2个区域分别以不同间隔形成。

11.如权利要求1所记载的半导体装置的制造方法，其特征在于，

上述第1标记开口部在上述半导体基板的面方向上形成于2根上述切割线交叉的交点区域。

12.如权利要求11所记载的半导体装置的制造方法，其特征在于，

上述第2标记开口部形成于以上述交点区域为中心的4个方向的上述切割线。

13.如权利要求1所记载的半导体装置的制造方法，其特征在于，

上述第2标记开口部形成于上述切割线的宽度方向上的中央区域。

14.如权利要求1所记载的半导体装置的制造方法，其特征在于，

从上述背面侧将上述贯通孔、上述第1标记开口部以及上述第2标记开口部同时形成于上述芯片区域。