[发明专利]多层陶瓷电子元件及其制造方法以及印刷电路板

权利要求书

1.一种多层陶瓷电子元件，该多层陶瓷电子元件待嵌入板中，包括：

陶瓷本体，该陶瓷本体包括电介质层，并且具有沿长度方向的两个端表面、沿宽度方向的两个表面、以及沿厚度方向的两个表面；

第一内电极和第二内电极，该第一内电极和第二内电极形成为交替地暴露于所述陶瓷本体的沿长度方向的所述两个端表面，所述第一内电极和第二内电极之间设置有电介质层；以及

第一外电极和第二外电极，所述第一外电极电连接至所述第一内电极，所述第二外电极电连接至所述第二内电极，所述第一外电极和第二外电极形成在所述陶瓷本体的沿长度方向的所述两个端表面上，

其中，所述第一外电极和第二外电极包括第一基电极和第二基电极、导电薄膜层以及镀层，所述第一基电极和第二基电极形成在所述陶瓷本体的沿长度方向的所述两个端表面上，所述导电薄膜层形成在所述陶瓷本体的沿厚度方向的所述两个表面上，所述镀层形成在所述第一基电极和第二基电极以及所述导电薄膜层上。

2.根据权利要求1所述的多层陶瓷电子元件，其中，所述导电薄膜层的厚度为0.1nm至5000nm。

3.根据权利要求1所述的多层陶瓷电子元件，其中，当所述导电薄膜层的厚度定义为tf，并且形成在所述导电薄膜层上的所述镀层的厚度定义为tp时，满足1.5≤tp/tf≤10000。

4.根据权利要求1所述的多层陶瓷电子元件，其中，所述导电薄膜层包括从包括铜、镍、钯、铂、金、银、铁、钛和碳的组中选取的至少一者。

5.根据权利要求1所述的多层陶瓷电子元件，其中，所述导电薄膜层形成为在所述陶瓷本体的沿厚度方向的一个表面的两个端部上彼此分离。

6.根据权利要求1所述的多层陶瓷电子元件，其中，所述导电薄膜层形成为连接至所述第一基电极和第二基电极。

7.根据权利要求1所述的多层陶瓷电子元件，其中，所述导电薄膜层形成为从所述陶瓷本体的厚度方向的所述两个表面延伸至所述第一基电极和第二基电极。

8.根据权利要求1所述的多层陶瓷电子元件，其中，当形成在所述陶瓷本体的沿厚度方向的一个表面的所述导电薄膜层上的第一外电极和第二外电极的带状表面的宽度定义为BW时，每个BW为所述陶瓷本体的长度的25％或更多。

9.根据权利要求1所述的多层陶瓷电子元件，其中，所述陶瓷本体的厚度为包括所述外电极的所述多层陶瓷电子元件的总厚度的60％或更多。

10.根据权利要求1所述的多层陶瓷电子元件，其中，包括所述外电极的所述多层陶瓷电子元件的总厚度为300μm或更小。

11.一种多层陶瓷电子元件的制造方法，该多层陶瓷电子元件待嵌入板中，该制造方法包括：

制备多个陶瓷基片；

使用导电膏在每个所述陶瓷基片上形成内电极图案；

通过堆叠其上形成有所述内电极图案的所述陶瓷基片，以形成包括彼此相对的第一内电极和第二内电极的陶瓷本体；

压制并烧结所述陶瓷本体；以及

形成第一外电极和第二外电极以与暴露于所述陶瓷本体的沿长度方向的两个端表面的所述第一内电极和第二内电极相接触，从而电连接至所述第一内电极和第二内电极，

其中，在形成所述第一外电极和第二外电极的过程中，在所述陶瓷本体的沿长度方向的所述两个端表面上形成第一基电极和第二基电极，在所述陶瓷本体的沿厚度方向的两个表面上形成导电薄膜层，并且在所述第一基电极和第二基电极以及所述导电薄膜层上形成镀层。

12.根据权利要求11所述的制造方法，其中，所述导电薄膜层通过从包括溅射法、印刷法和无电镀法的组中选取的至少一种方法来形成。

13.根据权利要求11所述的制造方法，其中，所述导电薄膜层的厚度为0.1nm至5000nm。

14.根据权利要求11所述的制造方法，其中，当所述导电薄膜层的厚度定义为tf，并且形成在所述导电薄膜层上的所述镀层的厚度定义为tp时，满足1.5≤tp/tf≤10000。

15.根据权利要求11所述的制造方法，其中，所述导电薄膜层包括从包括铜、镍、钯、铂、金、银、铁、钛和碳的组中选取的至少一者。