[发明专利]功率半导体模块在审
申请号: | 201410450064.1 | 申请日: | 2014-09-05 |
公开(公告)号: | CN104916630A | 公开(公告)日: | 2015-09-16 |
发明(设计)人: | 松山宏 | 申请(专利权)人: | 株式会社东芝 |
主分类号: | H01L25/18 | 分类号: | H01L25/18 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人: | 许海兰 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 功率 半导体 模块 | ||
1.一种功率半导体模块,包括:
基板;
第1布线层,设置于所述基板上;
多个半导体元件,设置于所述第1布线层上,分别具有第1电极、第2电极和第3电极,所述第2电极与所述第1布线层电连接;以及
整流元件,设置于所述第1布线层上,具有与所述第1布线层电连接的第5电极、和与所述第1电极电连接的第4电极,
在所述第1布线层上,从所述基板内的任意的第1点放射状地配置所述多个半导体元件以及所述整流元件,
以所述第1点为基准,点对称或者线对称地配置有收纳于所述多个半导体元件各自的区域内的任意的点,
以所述第1点为基准,点对称或者线对称地配置有收纳于所述整流元件的区域内的任意的点。
2.根据权利要求1所述的功率半导体模块,其特征在于:
所述第1布线层是十字状,
所述多个半导体元件由4个半导体元件构成,
在所述十字状的从所述第1布线层的中心向4个方向延伸的所述第1布线层各自的区域中,设置有所述4个半导体元件的各个,
在所述4个半导体元件各自的外侧,设置有所述整流元件。
3.根据权利要求1所述的功率半导体模块,其特征在于:在所述第1布线层的中心还具备电极端子。
4.根据权利要求1所述的功率半导体模块,其特征在于:
在所述基板上还具备第3布线层,
所述多个半导体元件中的某一个半导体元件的所述第1电极和所述整流元件的所述第4电极经由所述第3布线层电连接。
5.根据权利要求4所述的功率半导体模块,其特征在于:在所述第3布线层中还具备电极端子。
6.根据权利要求1所述的功率半导体模块,其特征在于:
所述第1布线层具有:
第1区域,从所述第1布线层的中心向4个方向延伸;以及
第2区域,从所述第1区域进一步延伸,与所述第1区域构成L字形,
所述多个半导体元件由4个半导体元件构成,
在各个所述第1区域中,设置有所述4个半导体元件的各个,
在各个所述第2区域中,设置有所述整流元件。
7.根据权利要求6所述的功率半导体模块,其特征在于还包括:
与所述整流元件并列的其他整流元件,
所述整流元件和所述其他整流元件并联地连接。
8.根据权利要求1所述的功率半导体模块,其特征在于:
所述第1布线层具有:
配置了所述多个半导体元件的区域;以及
设置于配置了所述多个半导体元件的所述区域的外侧,配置了所述整流元件的区域。
9.根据权利要求1所述的功率半导体模块,其特征在于还包括:
设置于所述基板上的电阻元件,
在从所述多个半导体元件选择出的1个半导体元件的所述第1电极、与从所述多个半导体元件选择出的另1个半导体元件的所述第1电极之间,连接有所述电阻元件。
10.根据权利要求9所述的功率半导体模块,其特征在于:所述电阻元件配置于所述第1布线层的外侧。
11.根据权利要求9所述的功率半导体模块,其特征在于:与所述电阻元件连接的2个半导体元件和所述第1点串联状地排列。
12.根据权利要求1所述的功率半导体模块,其特征在于还包括:
设置于所述基板上的多个电阻元件,
在从所述多个半导体元件选择出的1个半导体元件的所述第1电极、与从所述多个半导体元件选择出的另1个半导体元件的所述第1电极之间,所述多个电阻元件串联地连接。
13.根据权利要求1所述的功率半导体模块,其特征在于还包括:
设置于所述基板上的第2布线层,
所述第2布线层被所述第1布线层包围,
所述多个半导体元件各自的所述第1电极、和与所述多个半导体元件的各个并联地连接的所述整流元件的所述第4电极共同地电连接到所述第2布线层。
14.根据权利要求13所述的功率半导体模块,其特征在于:所述第2布线层配置于所述基板的中心。
15.根据权利要求13所述的功率半导体模块,其特征在于:所述第2布线层隔着绝缘层设置于所述第1布线层上。
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