[发明专利]基于噻菌灵银配合物修饰的Keggin型晶态材料及其合成方法和在Hg2+离子传感方面的应用

权利要求书

1.基于噻菌灵银配合物修饰的Keggin型晶态材料，其特征在于，化合物的分子式为：

[Ag₆(tbz)₄(bmz)₂(HPW₁₂O₄₀)] ·4H₂O ；

其中，tbz为噻菌灵；bmz为苯并咪唑。

2.根据权利要求1所述的基于噻菌灵银配合物修饰的Keggin型晶态材料的制备方法，其特征在于：将AgNO₃、Keggin型多酸及有机配体加入去离子水，在室温下搅拌形成悬浮混合物；所述Keggin型多酸为H₃PW₁₂O₄₀·29H₂O所述的有机配体为噻菌灵；将HNO₃溶液调节pH值，倒入高压反应釜中升温并保温，梯度降温到室温得到块状黄色晶体，用去离子水清洗，室温下自然晾干，得到噻菌灵银配合物修饰的Keggin型晶态材料。

3.根据权利要求2所述的基于噻菌灵银配合物修饰的Keggin型晶态材料的制备方法，其特征在于：将1.0mol/L的HNO₃溶液调pH=1.5，倒入高压反应釜中升温至160℃，保温5天，梯度降温到室温得到块状黄色晶体。

4.根据权利要求3所述的基于噻菌灵银配合物修饰的Keggin型晶态材料的制备方法，其特征在于：升温时升温速率为 70℃/小时～80℃/小时，降温时降温速率为10℃/小时；所述的去离子水的加入量为高压反应釜容积的60%。

5.根据权利要求1所述的基于噻菌灵银配合物修饰的Keggin型晶态材料作为汞离子传感材料的应用。

6.一种基于噻菌灵银配合物修饰的Keggin型晶态材料，其特征在于，化合物的分子式为：

[Ag₄(tbz)₂(H₂bdpm)₂(HPMo^VI₁₀Mo^V₂O₄₀)] ·2H₂O；其中，tbz为噻菌灵；H₂bdpm为1,1’-双(3,5-二甲基-1H-吡唑基)甲烷。

7.根据权利要求6所述的基于噻菌灵银配合物修饰的Keggin型晶态材料的制备方法，其特征在于：将AgNO₃、Keggin型多酸、有机配体及辅助配体加入去离子水，在室温下搅拌形成悬浮混合物；所述Keggin型多酸为H₃PMo₁₂O₄₀·29H₂O；所述的有机配体为噻菌灵；辅助配体为1,1’-双(3,5-二甲基-1H-吡唑基)甲烷；将将HNO₃溶液调节pH值，倒入高压反应釜中升温并保温，梯度降温到室温得到块状黄色晶体，用去离子水清洗，室温下自然晾干，得到噻菌灵银配合物修饰的Keggin型晶态材料。

8.根据权利要求7所述的基于噻菌灵银配合物修饰的Keggin型晶态材料的制备方法，其特征在于：将1.0mol/L的HNO₃溶液调pH=1.5，倒入高压反应釜中升温至160℃，保温5天，梯度降温到室温得到块状黄色晶体。

9.根据权利要求8所述的基于噻菌灵银配合物修饰的Keggin型晶态材料的制备方法，其特征在于：升温时升温速率为 70℃/小时～80℃/小时，降温时降温速率为10℃/小时；所述的去离子水的加入量为高压反应釜容积的60%。

10.根据权利要求6所述的基于噻菌灵银配合物修饰的Keggin型晶态材料作为汞离子传感材料的应用。