[发明专利]半导体装置以及半导体装置的制造方法有效
申请号: | 201410452964.X | 申请日: | 2014-09-05 |
公开(公告)号: | CN104716104B | 公开(公告)日: | 2018-01-16 |
发明(设计)人: | 涩谷克则;井本孝志;本间庄一;渡部武志;高野勇佑 | 申请(专利权)人: | 东芝存储器株式会社 |
主分类号: | H01L23/31 | 分类号: | H01L23/31;H01L21/56 |
代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司11287 | 代理人: | 张世俊 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体 装置 以及 制造 方法 | ||
1.一种半导体装置,其特征在于包括:
基板,包括包含接地配线的配线层,且设置着焊垫电极;
半导体芯片,搭载在所述基板;
外部连接端子,设置在所述基板;
接合线,将所述半导体芯片与所述焊垫电极电连接;
密封树脂层,密封所述半导体芯片及所述接合线;以及
导电性屏蔽层,覆盖所述基板的侧面与所述密封树脂层;
所述配线层的侧面与所述屏蔽层电连接,
所述接地配线包含一部分,该部分具有在所述基板的厚度方向比所述侧面的面积小的截面积;
所述接地配线包含:
主配线,使用第一金属材料;以及
保护金属膜,使用耐氧化性高于所述第一金属材料的第二金属材料,并覆盖所述主配线;并且
在所述接地配线的所述侧面中,所述主配线的侧面被所述保护金属膜覆盖。
2.根据权利要求1所述的半导体装置,其特征在于:
所述主配线的所述侧面经由所述保护金属膜而与所述屏蔽层电连接。
3.根据权利要求1所述的半导体装置,其特征在于:
所述保护金属膜覆盖所述主配线的上表面及侧面。
4.根据权利要求1所述的半导体装置,其特征在于:
所述接地配线与所述半导体装置的外部的接地电连接。
5.根据权利要求1所述的半导体装置,其特征在于:
所述配线层包含:
第一配线层,设置在所述基板的上表面,并与所述焊垫电极电连接;
第二配线层,设置在所述基板的下表面;以及
第三配线层,设置在所述第一配线层与所述第二配线层之间;并且
所述接地配线设置在所述第三配线层。
6.一种半导体装置的制造方法,其特征在于:
在基板上搭载半导体芯片,该基板包括包含接地配线的配线层且设置着焊垫电极,
利用接合线将所述半导体芯片与所述焊垫电极电连接,
形成密封所述半导体芯片及所述接合线的密封树脂层,
利用切割锯一并切断所述基板及所述配线层,
形成覆盖所述基板的侧面與所述密封树脂层的导电性屏蔽层,
所述配线层的侧面与所述屏蔽层电连接,
所述接地配线包含一部分,该部分具有在所述基板的厚度方向比所述侧面的面积小的截面积;
所述接地配线包含:
主配线,使用第一金属材料;以及
保护金属膜,使用耐氧化性高于所述第一金属材料的第二金属材料,并覆盖所述主配线;并且
在所述接地配线的所述侧面中,所述主配线的侧面被所述保护金属膜覆盖。
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