[发明专利]半导体装置以及半导体装置的制造方法有效

专利信息
申请号: 201410452964.X 申请日: 2014-09-05
公开(公告)号: CN104716104B 公开(公告)日: 2018-01-16
发明(设计)人: 涩谷克则;井本孝志;本间庄一;渡部武志;高野勇佑 申请(专利权)人: 东芝存储器株式会社
主分类号: H01L23/31 分类号: H01L23/31;H01L21/56
代理公司: 北京律盟知识产权代理有限责任公司11287 代理人: 张世俊
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 半导体 装置 以及 制造 方法
【权利要求书】:

1.一种半导体装置,其特征在于包括:

基板,包括包含接地配线的配线层,且设置着焊垫电极;

半导体芯片,搭载在所述基板;

外部连接端子,设置在所述基板;

接合线,将所述半导体芯片与所述焊垫电极电连接;

密封树脂层,密封所述半导体芯片及所述接合线;以及

导电性屏蔽层,覆盖所述基板的侧面与所述密封树脂层;

所述配线层的侧面与所述屏蔽层电连接,

所述接地配线包含一部分,该部分具有在所述基板的厚度方向比所述侧面的面积小的截面积;

所述接地配线包含:

主配线,使用第一金属材料;以及

保护金属膜,使用耐氧化性高于所述第一金属材料的第二金属材料,并覆盖所述主配线;并且

在所述接地配线的所述侧面中,所述主配线的侧面被所述保护金属膜覆盖。

2.根据权利要求1所述的半导体装置,其特征在于:

所述主配线的所述侧面经由所述保护金属膜而与所述屏蔽层电连接。

3.根据权利要求1所述的半导体装置,其特征在于:

所述保护金属膜覆盖所述主配线的上表面及侧面。

4.根据权利要求1所述的半导体装置,其特征在于:

所述接地配线与所述半导体装置的外部的接地电连接。

5.根据权利要求1所述的半导体装置,其特征在于:

所述配线层包含:

第一配线层,设置在所述基板的上表面,并与所述焊垫电极电连接;

第二配线层,设置在所述基板的下表面;以及

第三配线层,设置在所述第一配线层与所述第二配线层之间;并且

所述接地配线设置在所述第三配线层。

6.一种半导体装置的制造方法,其特征在于:

在基板上搭载半导体芯片,该基板包括包含接地配线的配线层且设置着焊垫电极,

利用接合线将所述半导体芯片与所述焊垫电极电连接,

形成密封所述半导体芯片及所述接合线的密封树脂层,

利用切割锯一并切断所述基板及所述配线层,

形成覆盖所述基板的侧面與所述密封树脂层的导电性屏蔽层,

所述配线层的侧面与所述屏蔽层电连接,

所述接地配线包含一部分,该部分具有在所述基板的厚度方向比所述侧面的面积小的截面积;

所述接地配线包含:

主配线,使用第一金属材料;以及

保护金属膜,使用耐氧化性高于所述第一金属材料的第二金属材料,并覆盖所述主配线;并且

在所述接地配线的所述侧面中,所述主配线的侧面被所述保护金属膜覆盖。

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