[发明专利]半导体装置以及半导体装置的制造方法

说明书

[相关申请案]

本申请案享受以日本专利申请案2013-258493号(申请日：2013年12月13日)为基础申请案的优先权。本申请案通过参照该基础申请案而包含基础申请案的全部内容。

技术领域

本发明涉及一种半导体装置以及半导体装置的制造方法。

背景技术

例如，在用于移动通信设备的半导体装置中，为了防止对于通信特性造成的不良影响，而要求抑制无用电磁波向外部泄漏。因此，应用了具有屏蔽功能的半导体封装。作为具有屏蔽功能的半导体封装，有具有如下构造的半导体封装，即，沿着密封搭载在基板上的半导体芯片的密封树脂层的外表面设置着导电性屏蔽层。

发明内容

本发明提供一种能够谋求减少无用电磁波泄漏的半导体装置以及半导体装置的制造方法。

实施方式的半导体装置包括基板，该基板包括包含接地配线的配线层，且设置着焊垫电极。半导体装置包括半导体芯片，该半导体芯片搭载于所述基板。半导体装置包括接合线，该接合线将所述半导体芯片与所述焊垫电极电连接。半导体装置包括密封树脂层，该密封树脂层密封所述半导体芯片及所述接合线。半导体装置包括导电性屏蔽层，该导电性屏蔽层覆蓋所述基板的側面與所述密封樹脂層。

所述配线层的側面与所述屏蔽层电连接。所述接地配线包含一部分，该部分具有在所述基板的厚度方向比所述側面的面積小的截面積。

附图说明

图1是表示第一实施方式的半导体装置10的构成的一例的剖视图。

图2(a)及图2(b)是表示图1所示的半导体装置10的区域X附近的配线层的截面与切断面的一例的剖视图。

图3是表示图1所示的半导体装置10的制造方法的各步骤的一例的流程图。

图4(a)及图4(b)是表示切断基板2前的配线层的各截面的一例的剖视图。

图5(a)及图5(b)是表示切断基板2后的配线层的截面与切断面的一例的剖视图。

图6(a)及图6(b)是表示图1所示的半导体装置10的区域X附近的配线层的截面与切断面的另一例的剖视图。

图7(a)及图7(b)是表示切断基板2前的配线层的各截面的另一例的剖视图。

图8(a)及图8(b)是表示切断基板2后的配线层的截面与切断面的另一例的剖视图。

图9是表示配线层的切断面的SEM(Scanning Electron Microscope，扫描电子显微镜)图像的一例的图。

具体实施方式

下面，根据附图对实施方式进行说明。另外，在下面的实施方式中，有如下情况，即，基板的上下方向表示以设置半导体芯片一面为上方时的相对方向，不同于遵循重力加速度的上下方向。

而且，虽然在下面的实施方式中对应用于BGA(Ball Grid Array，球形阵列)的半导体装置(半导体封装)的一例进行说明，但也可以同样地适用于LGA(Land Grid Array，平台栅格阵列)。

[第一实施方式]

图1是表示第一实施方式的半导体装置10的构成的一例的剖视图。

如图1所示，半导体装置10包括基板2、外部连接端子3、半导体芯片1a～1h、11、接合线4a、4b、5a、5b、12、密封树脂层(模制树脂)6、以及导电性屏蔽层8。

基板2具有包含接地配线的配线层。该基板2在上表面设置着与配线层电连接的焊垫电极4a1、4b1、5a1、5b1、12a。进而，在基板2的上表面设置着配线层的信号配线或接地配线等(未图示)。

例如，如图1所示，该基板2的配线层包含第一配线层2a、第二配线层2b以及第三配线层2c。

第一配线层2a设置在基板2的上表面，并与各焊垫电极电连接。

第二配线层2b设置在基板2的下表面。

第三配线层2c设置在第一配线层2a与第二配线层2b之间。并且，该第三配线层2c的一部分(端部)具有露出于基板2的侧面且沿着基板2的厚度方向被切断的切断面。另外，如后文所述，该第三配线层2c的切断面为利用切割锯切断基板2所得之面的一部分。

另外，在图1的例中，接地配线设置在该第三配线层2c上。该接地配线例如使用金属材料。并且，该金属材料例如使用金、银、铜、铝、镍、钯、钨中的任一种。

而且，基板2进而具有第一绝缘层9a及第二绝缘层9b。

第一绝缘层9a设置在第一配线层2a与第三配线层2c之间。

并且，第二绝缘层9b设置在第二配线层2b与第三配线层2c之间。