[发明专利]一种半导体器件及其制备方法、电子装置

权利要求书

1.一种半导体器件的制备方法，包括：

步骤S1：提供第一基底，在所述第一基底上形成有元器件和位于所述元器件上方的金属互联结构，所述金属互联结构嵌于介电层中；在所述介电层上依次形成有第二基底和第一隔离层；

步骤S2：图案化所述第一隔离层、所述第二基底和所述介电层，以形成开口，露出所述金属互联结构；

步骤S3：沉积第二隔离层，以部分填充所述开口并覆盖所述第一隔离层；

步骤S4：去除所述第一隔离层上的部分所述第二隔离层，以减小所述第二隔离层的厚度，降低所述第二隔离层的应力，以避免所述第二隔离层发生碎裂或者脱落。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述步骤S4中，去除部分所述第二隔离层，以使所述第二隔离层的厚度小于6K埃。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述步骤S3中，沉积的所述第二隔离层的厚度为8-12K埃。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述步骤S1中，所述第一隔离层的厚度为8-12K埃。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第二隔离层选用硬脂酸四乙氧基硅烷。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述步骤S4中选用化学机械平坦化的方法去除部分所述第二隔离层。

7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述步骤S4之后，所述方法还进一步包括：

步骤S5：执行退火步骤，以致密化所述第二隔离层；

步骤S6：去除所述开口底部和所述第一隔离层上方的所述第二隔离层，以露出所述金属互联结构和所述第一隔离层；

步骤S7：沉积导电材料层，以填充所述开口并覆盖所述第一隔离层；

步骤S8：平坦化所述导电材料层至所述第一隔离层，以形成通孔。

8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，在所述步骤S6中去除所述第二隔离层的同时，去除部分所述第一隔离层，以使所述第一隔离层的厚度为3.5-5.5K埃。

9.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，在所述步骤S7中所述导电材料层选用金属钨。

10.一种基于权利要求1至9之一所述的方法制备得到的半导体器件。

11.一种电子装置，包括权利要求10所述的半导体器件。