[发明专利]半导体结构有效
| 申请号： | 201410454274.8 | 申请日： | 2014-09-09 |
| 公开（公告）号： | CN104576599B | 公开（公告）日： | 2017-11-10 |
| 发明（设计）人： | 林子闳;洪建州 | 申请（专利权）人： | 联发科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/522 | 分类号： | H01L23/522 |
| 代理公司： | 北京万慧达知识产权代理有限公司11111 | 代理人： | 张金芝,杨颖 |
| 地址： | 中国台湾新竹科*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 | ||
1.一种半导体结构，其特征在于，包括：
基底；
第一钝化层，设置于所述基底上；
导电垫，设置于所述第一钝化层上；
第二钝化层，设置于所述第一钝化层上；
被动元件，设置于所述导电垫上，并穿过所述第二钝化层；
凸块下金属层；以及
有机可焊性保护膜，与所述凸块下金属层一起将所述被动元件包围起来；
其中，所述凸块下金属层延伸至所述第二钝化层的上表面，并且所述有机可焊性保护膜不与所述第二钝化层相接触。
2.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述被动元件包括变压器元件、电感器、转换器、布线或天线。
3.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第二钝化层具有穿过所述第二钝化层的第一开口，所述导电垫从所述第一开口暴露出来。
4.如权利要求3所述的半导体结构，其特征在于，
该凸块下金属层，设置于所述第一钝化层和所述第二钝化层上，其中所述凸块下金属层分布在所述第一开口的侧壁并覆盖从所述第一开口暴露出来的所述导电垫。
5.如权利要求4所述的半导体结构，其特征在于，所述被动元件设置于所述凸块下金属层上，通过所述凸块下金属层电连接至所述导电垫。
6.如权利要求3所述的半导体结构，其特征在于，所述第二钝化层具有穿过所述第二钝化层的第二开口，所述导电垫从所述第二开口暴露出来。
7.如权利要求6所述的半导体结构，其特征在于，还包括：
导电凸块，设置于所述第二开口中，电连接至所述导电垫。
8.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述有机可焊性保护膜仅与所述第二钝化层上的所述被动元件的第一部分相接触，所述凸块下金属层与所述被动元件的第二部分相接触，所述被动元件的所述第二部分穿过所述第二钝化层。
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