[发明专利]半导体结构

说明书

技术领域

本发明有关于半导体结构，特别是有关于一种半导体结构的被动元件(passive device)的保护层。

背景技术

对于传统的覆晶封装，电感器的一个标准是低电阻，以获得高品质因数(quality factor)。电感器的品质因数是指定频率下的感抗(inductive reactance)与电阻的比值，并可作为电感器效率的估量。电感器的品质因数越高，就越接近理想的、无损的电感器的运转情况。

传统封装的制造过程通常会使用镍(Ni)/金(Au)层作为电感器的保护层。镍/金保护层能够保护电感器以不被氧化。然而，镍/金保护层可能导致电感器的表面效应(skin effect)。并且镍/金保护层通常具有较厚的厚度。电感器表面的厚的镍/金保护层会降低电感器的质量因数以及恶化电阻。

因此，有必要寻求一种新的具有较高质量因数的电感器。

发明内容

有鉴于此，本发明提供一种半导体结构。

依据本发明一实施方式，提供一种半导体结构，包括：基底；第一钝化层，设置于所述基底上；导电垫，设置于所述第一钝化层上；第二钝化层，设置于所述第一钝化层上；被动元件，设置于所述导电垫上，并穿过所述第二钝化层；以及有机可焊性保护膜，覆盖所述被动元件。

依据本发明另一实施方式，提供一种半导体结构，包括：基底；导电垫，设置于所述基底上；被动元件，设置于所述导电垫上；以及凸块下金属层和有机可焊性保护膜，所述有机可焊性保护膜覆盖所述被动元件，所述被动元件通过所述凸块下金属层电连接至所述导电垫。

依据本发明又一实施方式，提供一种半导体结构，包括：基底；导电结构，设置于所述基底上；以及有机可焊性保护膜，覆盖所述导电结构的至少一部分。

本发明所提供的半导体结构，其中的有机可焊性保护膜可以防止表面效应的发生，此外，能够减小电阻并具有较高的品质因数。

对于已经阅读后续由各附图及内容所显示的较佳实施方式的本领域的技术人员来说，本发明的各目的是明显的。

附图说明

图1-5为制造本发明的半导体结构的一实施例的剖视图。

图6-8为制造本发明的半导体结构的另一实施例的剖视图。

具体实施方式

在权利要求书及说明书中使用了某些词汇来指称特定的组件。所属领域中的技术人员应可理解，硬件制造商可能会用不同的名词来称呼同样的组件。本权利要求书及说明书并不以名称的差异来作为区分组件的方式，而是以组件在功能上的差异来作为区分的准则。在权利要求书及说明书中所提及的「包括」为开放式的用语，故应解释成「包括但不限定于」。另外，「耦接」一词在此包括任何直接及间接的电气连接手段。因此，若文中描述第一装置耦接于第二装置，则代表所述第一装置可直接电连接于所述第二装置，或通过其他装置或连接手段间接地电连接至所述第二装置。以下描述为本发明实施的较佳实施例。以下实施例仅用来举例阐释本发明的技术特征，并非用来限制本发明的范畴。本发明保护范围当视权利要求书所界定为准。

下面将通过特定的实施例结合相应的附图来描述本发明，但本发明并不限于此。附图的描述仅用于理解本发明的方案，并非用于限制本发明。为了说明的目的，在附图中的一些元件的尺寸可能会放大，而且并非按照实际比例来绘制。附图中的尺寸和相对尺寸并不对应于本发明实际应用中的真实尺寸。

图1-5为制造本发明的半导体结构500a的一实施例的剖视图。半导体结构500a的一实施例包括引线接合封装(wire bonding package)。半导体结构500a的一实施例包括被动元件，被动元件通过集成被动元件(integrated passive device，IPD)工艺集成在导电垫(conductive pad)上，因此被动元件可能会比配置于互连结构中的传统的被动元件更厚，传统的互连结构中的被动元件不具有额外的金属层。另外，被动元件由有机可焊性保护(organic solderability preservative，OSP)膜进行保护。有机可焊性保护膜通过镍-自由(nickel-free)工艺形成。如果被动元件是电感器或变压器元件(balun device)，有机可焊性保护膜可以防止在被动元件的操作过程中表面效应的发生。被动元件(例如，电感器或变压器元件)被有机可焊性保护膜所覆盖，能够减小电阻并具有较高的品质因数。