[发明专利]一种氧化物半导体薄膜晶体管

权利要求书

1.一种薄膜晶体管，包括绝缘衬底；位于绝缘衬底上的栅极电极层；位于绝缘衬底上覆盖所述栅极电极层的栅极绝缘层；氧化物半导体层形成于栅极绝缘层上，并包括与栅极电极层正对的沟道区域和位于沟道区域两端的源漏极区域；源漏金属电极层，位于源漏极区域上；其特征在于：在所述源漏金属电极层与所述源漏极区域接触的区域引入氢浓度分布。

2.一种薄膜晶体管，包括绝缘衬底；位于绝缘衬底上的栅极电极层；位于绝缘衬底上覆盖所述栅极电极层的栅极绝缘层；氧化物半导体层形成于栅极绝缘层上，并包括与栅极电极层正对的沟道区域和位于沟道区域两端的源漏极区域；源漏金属电极层，位于源漏极区域上；其特征在于：在所述源极金属电极层与所述源极区域界面处，以及所述漏极金属电极与所述漏极区域的界面处引入的氢浓度最高，并且在远离界面处的方向上引入的氢浓度逐渐变小。

3.一种薄膜晶体管，包括绝缘衬底；位于绝缘衬底上的栅极电极层；位于绝缘衬底上覆盖所述栅极电极层的栅极绝缘层；氧化物半导体层形成于栅极绝缘层上，并包括与栅极电极层正对的沟道区域和位于沟道区域两端的源漏极区域；源漏金属电极层，位于源漏极区域上；其特征在于：在所述源漏金属电极层与所述源漏极区域接触的区域具有引入的氢浓度分布，并且在所述源漏金属电极层远离所述源漏区域的一端没有引入的氢浓度分布。

4.如权利要求3所述的薄膜晶体管，在靠近所述沟道区域的所述源漏区域部分没有覆盖所述源漏极金属电极层，并且所述沟道区域内没有引入的氢浓度分布。

5.如权利要求2所述的薄膜晶体管，在靠近所述沟道区域的所述源漏区域部分没有覆盖所述源漏极金属电极层，在所述源漏金属电极层远离所述源漏区域的一端没有引入的氢浓度分布，并且所述沟道区域内没有引入的氢浓度分布。

6.如权利要求4或5所述的薄膜晶体管，所述没有覆盖所述源漏极金属电极层的靠近所述沟道区域的所述源漏区域部分的长度为源漏极区域长度的1/4到1/2之间。

7.如权利要求1-6所述的薄膜晶体管，所述氧化物半导体层为Zn-Sn-O、In-Zn-O、In-Ga-O、MgZnO、In2O3层中的一种。

8.如权利要求7所述的薄膜晶体管，若所述氧化物半导体层为MgZnO层，侧该MgZnO层通过Sol-Gel法制备得到。

9.如权利要求1-8所述的薄膜晶体管，若所述源漏金属电极层选自铝、钛、钼、钕、钇或者钽中的一种。