[发明专利]一种氧化物半导体薄膜晶体管

说明书

技术领域

本发明涉及一种薄膜晶体管，尤其是一种氧化物半导体薄膜晶体管。

背景技术

薄膜晶体管作为一种场效应半导体器件，在有源阵列显示器驱动等显示领域有着重要的无可替代的运用，半导体活性材料对器件的性能和制造工艺有至关重要的影响，以硅为活性半导体材料的薄膜晶体管往往会存在迁移率低，光敏性强的缺点。以氧化锌为代表的透明宽带隙氧化物半导体材料能够很好的解决硅半导体材料的缺点，作为可用于薄膜晶体管的氧化物半导体材料包括ZnO，MgZnO，Zn-Sn-O, In-Zn-O, SnO, Ga₂O₃, In-Ga-O, In₃0₂, In-Ga-Zn-O等性能优异的材料。但是随着显示领域迅速发展，目前对氧化物半导体薄膜晶体管的特性要求越来越高，例如要求较小的串联电阻，较高的迁移率。 

发明内容

本发明在于解决在不导致氧化物薄膜晶体管性能下降的情况下，降低氧化物半导体薄膜晶体管的串联电阻；

为解决上述技术问题本发明提供一种薄膜晶体管，包括绝缘衬底；位于绝缘衬底上的栅极电极层；位于绝缘衬底上覆盖所述栅极电极层的栅极绝缘层；氧化物半导体层形成于栅极绝缘层上，并包括与栅极电极层正对的沟道区域和位于沟道区域两端的源漏极区域；源漏金属电极层，位于源漏极区域上；其特征在于：在所述源漏金属电极层与所述源漏极区域接触的区域具有引入的氢浓度分布；

进一步的，在所述源极金属电极层与所述源极区域界面处，以及所述漏极金属电极与所述漏极区域的界面处引入的氢浓度最高，并且在远离界面处的方向上引入的氢浓度逐渐变小；

进一步的，在所述源漏金属电极层远离所述源漏区域的一端没有引入的氢浓度分布；

进一步的，在靠近所述沟道区域的所述源漏区域部分没有覆盖所述源漏极金属电极层，并且所述沟道区域内没有引入的氢浓度分布；

进一步的，所述没有覆盖所述源漏极金属电极层的靠近所述沟道区域的所述源漏区域部分的长度为源漏极区域长度的1/8到1/10之间；

进一步的，所述源漏金属电极层选自铝、钛、钼、钕、钇或者钽中的一种；

进一步的，所述氧化物半导体层为Zn-Sn-O、In-Zn-O、In-Ga-O、MgZnO、In2O3层中的一种；

进一步的，所述氧化物半导体层为MgZnO层，侧该MgZnO层通过Sol-Gel法制备得到。 

附图说明

图1-3 本发明氧化物半导体薄膜晶体管在各制备阶段的截面图。 

具体实施方式

本发明能够降低源极电极，漏极电极与氧化物半导体之间的电阻，同时不会影想阈值电压、截止电流以及迁移率；