[发明专利]ABS远侧的变化数据写入器侧屏蔽间隙

权利要求书

1.一种装置，包括沿第一轴线与第一屏蔽件相邻且沿第二轴线与第二屏蔽件相邻的写入极，所述第二屏蔽件在气浮表面(ABS)上与所述写入极隔开第一间隙距离且在所述ABS远侧与所述写入极隔开第二间隙距离，所述第一和第二间隙距离在平行于所述ABS取向的第一过渡表面处会合。

2.如权利要求1所述的装置，其中所述第一屏蔽件包括后屏蔽件，所述后屏蔽件定位在所述写入极的下磁道。

3.如权利要求2所述的装置，其中所述第二屏蔽件包括侧屏蔽件，所述侧屏蔽件定位成横向地邻近所述写入极且在所述第一屏蔽的上磁道。

4.如权利要求3所述的装置，其中所述写入极布置在匹配的侧屏蔽件之间。

5.如权利要求1所述的装置，其中所述写入极包括以第一形状从所述ABS延伸出的第一侧壁，所述第二屏蔽件包括以第二形状从所述ABS延伸出的第二侧壁，所述第一形状和第二形状不同。

6.如权利要求1所述的装置，其中所述第二屏蔽件包括平行于所述ABS取向的第二过渡表面，所述第一和第二过渡表面与所述ABS隔开不同的距离。

7.如权利要求6所述的装置，其中所述第一和第二过渡表面具有不同的长度，所述长度是平行于所述ABS测量到的。

8.如权利要求1所述的装置，其中所述第一过渡表面将所述第一间隙距离增加到所述第二间隙距离。

9.磁元件，包括沿第一轴线邻近第一屏蔽件且沿第二轴线邻近第二屏蔽件的写入极，所述第二屏蔽件构造为具有第一和第二屏蔽子层的水平层叠件，所述第二屏蔽件在气浮表面(ABS)与所述写入极隔开第一间隙距离且在所述ABS远侧与所述写入极隔开第二间隙距离，所述第一和第二间隙距离在平行于所述ABS取向的第一过渡表面处会合。

10.如权利要求9所述的磁元件，其中所述第一和第二子层从所述ABS连续地延伸。

11.如权利要求9所述的磁元件，其中所述第一子层包括所述第一过渡表面，所述第二子层包括平行于所述ABS取向的第二过渡表面。

12.如权利要求11所述的磁元件，其中所述第一和第二过渡表面定位在距所述ABS的不同距离处。

13.如权利要求11所述的磁元件，其中所述第一和第二过渡表面定位在距所述ABS的共同距离处。

14.如权利要求9所述的磁元件，其中所述第一和第二子层具有不同的磁体密度。

15.如权利要求9所述的磁元件，其中在垂直于所述ABS的方向上，所述第一子层延伸不远于所述第一过渡表面。

16.如权利要求11所述的磁元件，其中所述第二屏蔽件包括第三子层，所述第三子层从所述第二过渡表面连续地延伸，而不接触所述ABS。

17.如权利要求16所述的磁元件，其中所述第二屏蔽件包括第四子层，所述第四子层从所述第一过渡表面连续地延伸，而不接触所述ABS。

18.如权利要求16所述的磁元件，其中所述第二屏蔽件包括第四子层，所述第四子层具有与所述第一子层不同的磁元件。

19.如权利要求9所述的磁元件，其中所述第一子层包括朝向写入极的侧壁，所述侧壁构造有与所述写入极的朝向侧屏蔽件的侧壁匹配的形状。

20.一种方法，包括：

将写入极定位成沿第一轴线邻近第一屏蔽件且沿第二轴线邻近第二屏蔽件；以及

使所述第二屏蔽件在气浮表面(ABS)上与所述写入极隔开第一间隙距离且在所述ABS远侧与所述写入极隔开第二间隙距离，所述第一和第二间隙距离在平行于所述ABS取向的第一过渡表面处会合。