[发明专利]ABS远侧的变化数据写入器侧屏蔽间隙

说明书

发明概述

各个实施方案总体涉及能够在各种数据存储环境中对数据位编程的磁元件。

匹配的实施方案调谐数据写入元件，至少一个写入极定位成沿第一轴线邻近第一屏蔽件且沿第二轴线邻近第二屏蔽件。第二屏蔽件可以在气浮表面(ABS)上与写入极隔开第一间隙距离且在ABS远侧与写入极隔开第二间隙距离，第一和第二间隙距离在平行于ABS取向的过渡表面处会合。

附图说明

图1是依照各个实施方案构造和操作的实施例的数据存储系统的框图表示。

图2示出了能够在图1的数据存储设备中使用的数据存储设备的部分的框图表示。

图3示出了能够在图2的数据存储设备中使用的实施例的磁元件的部分的框图表示。

图4显示了依照各个实施方案构造的实施例的磁元件的剖视框图表示。

图5示出了依照一些实施方案配置的实施例的磁元件的部分的剖视框图表示。

图6是依照匹配的实施方案构造的实施例的磁元件的部分的剖视框图表示。

图7显示了依照各个实施方案配置的实施例的磁元件的部分的剖视框图表示。

图8显示了依照一些实施方案构造的实施例的磁元件的部分的剖视框图表示。

图9提供了依照配平的实施方案执行的实施例的写元件制造工序的流程图。

发明详述

数据存储部件的物理尺寸的减小已经为数据存储设备形状因数减小以及数据容量增加铺平了道路。在数据存储设备的数据写方面，磁屏蔽件关于发射磁通的写入极定位，并且下磁道后屏蔽件能够经调谐以提高写磁场、场梯度、场角和曲率锐度。然而，数据存储介质上数据磁道的物理尺寸的最小化会导致磁通沿着交叉磁道轴线横向地发射而不利地影响特征在于相邻磁道干扰(ATI)和写后擦除(EAW)状态的相邻数据位。因此，行业持续性的目标是增强写入极的侧屏蔽，特别是在形状因数减小的、高面积数据位密度的数据存储环境中。

在考虑到这些问题的情况下，数据存储设备能够配置有沿第一轴线邻近第一屏蔽件定位且沿第二轴线邻近第二屏蔽件定位的写入极，第二屏蔽件在气浮表面(ABS)上与写入极隔开第一间隙距离且在ABS远侧与所述写入极隔开第二间隙距离，第一和第二间隙距离在平行于ABS取向的过渡表面处会合。关于ABS的非正形的侧屏蔽间隙距离允许在保持写入极的磁性程度的情况下有更大的磁场和场梯度。可以在材料和构造方面进一步调谐侧屏蔽件，如匹配的实施方案将侧屏蔽件形成为屏蔽子层的水平层叠件，每个子层接触ABS。

可设想的是，经调谐的写入极和侧屏蔽件能够用于不受限制的各种数据存储环境。图1提供了依照各个实施方案构造的实施例的数据存储环境100的框图表示。环境100具有至少一个处理器102或控制器，其分别地或者同时地与一个或多个数据存储设备104通信且控制一个或多个数据存储设备104。

数据存储设备104能够由存储数据位形式的数据的至少一个数据存储介质106来构造和操作。匹配的实施方案可以将处理器102封装在数据存储设备104内，而其它实施方案使用位于数据存储设备104内部和外部的多个处理器102。

一个或多个本地处理器102的使用能够允许多个数据存储设备104用作本地数据存储方案的部分。处理器102与其它设备108、存储器110和控制器112经由适当的协议在网络114上通信的能力允许在提供增强的处理能力的同时实现其它的数据存储方案，类似于冗余独立磁盘阵列(RAID)和数据高速缓存。值得注意的是，网络114可以是有线或无线的以将本地处理器102连接到不受限制的多种计算部件，无限制。因此，数据存储环境100能够经调谐以使用多种多样的计算部件来提供几乎任何类型的数据存储能力，诸如云计算、虚拟机和冗余存储阵列。

图2显示了依照匹配的实施方案构造和操作的实施例的数据存储设备120的部分的框图表示。数据存储系统120使用邻近数据存储介质124定位且与数据存储介质124隔开气浮面126的数据位编程换能器122。主轴电动机128能够通过一个或多个本地或远程的控制器来控制以旋转数据存储介质124并且产生预定的气浮面126尺寸。通过数据换能器122的致动运动结合数据存储介质124的旋转，作为不同数据磁道132的部分的选定数据位130能够被访问以读和写与逻辑主体和数字存储器对应的预定磁极。