[发明专利]一种LCOS微显示驱动面板制备方法有效
申请号: | 201410459151.3 | 申请日: | 2014-09-10 |
公开(公告)号: | CN104269346A | 公开(公告)日: | 2015-01-07 |
发明(设计)人: | 杜寰 | 申请(专利权)人: | 中国科学院微电子研究所 |
主分类号: | H01L21/02 | 分类号: | H01L21/02;G02F1/1343;G02F1/1333 |
代理公司: | 北京华沛德权律师事务所 11302 | 代理人: | 刘杰 |
地址: | 100029 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 lcos 显示 驱动 面板 制备 方法 | ||
1.一种LCOS微显示驱动面板制备方法,其特征在于,所述制备方法包括:
硅衬底及集成电路器件制备;
通过等离子增强化学气相淀积PECVD方法生长介质;
对所述介质进行化学机械抛光CMP;
铝布线步骤;
刻通孔;
溅射Ti/TiN和钨,反刻钨,形成钨塞;
制备镜面反射电极;
制备薄盒,灌装液晶。
2.如权利要求1所述的制备方法,其特征在于,所述方法还包括:键合引出电路管脚以及成品测试的步骤。
3.如权利要求1所述的制备方法,其特征在于,所述镜面反射电极通过像素表面蒸发形成。
4.如权利要求1所述的制备方法,其特征在于,所述镜面反射电极的制备材料为银。
5.如权利要求4所述的制备方法,其特征在于,所述制备镜面反射电极的步骤具体为依次进行光刻、蒸银、剥离银。
6.如权利要求1-5任一项所述的制备方法,其特征在于,所述方法包括以下工艺步骤:
(1)硅衬底及集成电路器件制备;
(2)PECVD(等离子增强化学气相淀积)方法生长介质一;
(3)CMP(化学机械抛光),保证硅片表面平整度;
(4)光刻并刻蚀接触孔;
(5)溅射铝并光刻、刻蚀,形成一铝布线;
(6)PECVD介质二;
(7)CMP;
(8)刻一次通孔;
(9)二铝布线;
(10)PEECVD介质三;
(11)CMP;
(12)刻二次通孔。
(13)溅射Ti/TiN和钨,反刻钨,形成钨塞;
(14)蒸银;
(15)剥离银,形成银反射电极;
(16)制备薄盒,灌装液晶;
(17)键合引出电路管脚;
(18)成品测试。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造